[发明专利]沟道式MOS P-N 结肖特基二极管结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种沟道式金属氧化物半导体P-N结肖特基二极管结构及其制作方法，该结构主要包含有一基板、一沟道结构、一多晶硅层、一氧化物层、一金属层以及一离子注入区域，其制作方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一掩模层；进行一第一光刻蚀刻工艺，形成一沟道结构；于该沟道结构内成长一栅氧化物层；进行一离子注入工艺形成一离子注入区域；于该沟道结构内形成一多晶硅层；于部分该多晶硅层与该第一掩模层上形成一第二掩模层；进行一第二光刻蚀刻工艺，形成一侧壁结构并露出部分该多晶硅层与该基板；以及于生成结构上形成一金属层。本发明具有低反向电压漏电流、低正向导通压降值、高反向耐电压值与低反向恢复时间特性。

主权项

一种沟道式金属氧化物半导体P-N结肖特基二极管结构制作方法，该方法至少包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一掩模层；对该基板进行一第一光刻蚀刻工艺，进而去除部分该第一掩模层并于该基板上形成一沟道结构；于该沟道结构内进行一离子注入工艺，进而于该基板上形成一离子注入区域；于该沟道结构与该第一掩模层上形成一多晶硅层；进行一蚀刻工艺将部分该多晶硅层去除，进而露出该第一掩模层；于该多晶硅层与该第一掩模层上形成一第二掩模层；进行一第二光刻蚀刻工艺，进而形成一侧壁结构并露出部分该多晶硅层与该基板；于该第二掩模层、该多晶硅层、该基板与该侧壁结构上形成一金属层；以及进行一第三光刻蚀刻工艺，进而去除部分该金属层。