[发明专利]半导体组件以及制造方法

摘要

包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近它们的基底的器件沟槽的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。

主权项

一种用于制造半导体组件的方法，包含如下步骤：提供具有第一和第二主表面的半导体材料；在该半导体材料中形成多个沟槽，其中该多个沟槽中的第一沟槽具有至少一个侧壁；在该多个沟槽之上形成第一电介质材料层；在该多个沟槽中的第一沟槽的第一部分中形成第一多晶硅层；平坦化第一多晶硅层以在该多个沟槽中的第一沟槽的第一部分中形成第一多晶硅电极，所述第一多晶硅电极具有相对的侧面；使第一多晶硅电极凹进；在已经被凹进的第一多晶硅电极之上形成第二电介质材料层；在第二电介质材料层之上并且在已经被凹进的第一多晶硅电极之上形成第二多晶硅层；以及平坦化第二多晶硅层以在已经被凹进的第一多晶硅电极之上形成第二多晶硅电极，其中在第一主表面之上基本上没有多晶硅。