[发明专利]半导体组件以及制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体组件的方法，包含如下步骤：

提供具有第一和第二主表面的半导体材料；

在该半导体材料中形成多个沟槽，其中该多个沟槽中的第一沟槽具有至少一个侧壁；

在该多个沟槽之上形成第一电介质材料层；

在该多个沟槽中的第一沟槽的第一部分中形成第一多晶硅层；

平坦化第一多晶硅层以在该多个沟槽中的第一沟槽的第一部分中形成第一多晶硅电极，所述第一多晶硅电极具有相对的侧面；

使第一多晶硅电极凹进；

在已经被凹进的第一多晶硅电极之上形成第二电介质材料层；

在第二电介质材料层之上并且在已经被凹进的第一多晶硅电极之上形成第二多晶硅层；以及

平坦化第二多晶硅层以在已经被凹进的第一多晶硅电极之上形成第二多晶硅电极，其中在第一主表面之上基本上没有多晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其中平坦化第二多晶硅层的步骤去除了第一主表面之上的第二多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使第一多晶硅电极凹进的步骤包括各向同性地刻蚀第一多晶硅电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成多个沟槽的步骤包括在该半导体材料中形成第二沟槽，所述第二沟槽具有至少一个侧壁，并且其中形成第一电介质材料层的步骤包括在第二沟槽的至少一个侧壁之上形成第一电介质材料层，并且还包括：

在第二沟槽的第一部分中形成第一多晶硅层；

平坦化第一多晶硅层以形成第三多晶硅电极，所述第三多晶硅电极位于第二沟槽的第一部分中并且具有相对的侧面；

使第三多晶硅电极凹进；

在已经被凹进的第三多晶硅电极之上形成第二电介质材料层；

在第二电介质材料层之上并且在已经被凹进的第三多晶硅电极之上形成第二多晶硅层；以及

平坦化第二多晶硅层以在已经被凹进的第三多晶硅电极之上形成第四多晶硅电极，其中在第一主表面之上基本上没有多晶硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其中形成多个沟槽的步骤包括在该半导体材料中形成第三沟槽，所述第三沟槽具有至少一个侧壁，并且其中形成第一电介质材料层的步骤包括在所述第三沟槽的至少一个侧壁之上形成第一电介质材料层，并且还包括：

在第三沟槽的第一部分中形成第一多晶硅层；

平坦化第一多晶硅层以形成第五多晶硅电极，所述第五多晶硅电极位于第三沟槽的第一部分中并且具有相对的侧面；

使第五多晶硅电极凹进；

在已经被凹进的第五多晶硅电极之上形成第二电介质材料层；

在所述第二电介质材料层之上并且在已经被凹进的第五多晶硅电极之上形成第二多晶硅层；以及

平坦化第二多晶硅层以在已经被凹进的第五多晶硅电极之上形成第六多晶硅电极，其中在第一主表面之上基本上没有多晶硅。

6.一种用于制造半导体组件的方法，包含如下步骤：

提供具有第一和第二表面的第一导电类型的半导体材料；

在该半导体材料中形成多个沟槽，其中该多个沟槽中的每个沟槽具有基底和侧壁；

至少在该多个沟槽的基底和侧壁之上形成第一电介质材料层；

在第一电介质材料层之上形成第一多晶硅层；

平坦化第一多晶硅层；

去除第一多晶硅层的在该多个沟槽的至少第一沟槽中的第一部分；

在第一沟槽中形成第二电介质材料层；

在第二电介质材料层之上形成第二多晶硅层；以及

平坦化第二多晶硅层，其中第二多晶硅层的一部分留在至少第一沟槽中，并且其中在第一表面之上没有来自至少第二多晶硅层的多晶硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其中去除第一多晶硅层的第一部分的步骤包括：

去除第一多晶硅层的在该多个沟槽的第二和第三沟槽中的部分；并且其中

形成第二电介质材料层的步骤包括在第二和第三沟槽中形成第二电介质材料层；并且其中

平坦化第二多晶硅层的步骤包括留下第二多晶硅层的在第二和第三沟槽中的部分。