[发明专利]半导体组件以及制造方法

说明书

技术领域

本发明一般涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体组件及其制造。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(“MOSFET”)是常见类型的功率开关器件。MOSFET器件包括源区、漏区、在源区与漏区之间延伸的沟道区、以及提供在沟道区附近的栅极结构。栅极结构包括导电的栅电极层，该栅电极层布置为邻近沟道区并且由薄的电介质层与该沟道区分隔。当将足够强度的电压施加于栅极结构以将MOSFET器件置于导通状态时，在源区与漏区之间形成导电的沟道区，由此允许电流流过该器件。当施加于栅极的电压不足以使沟道形成时，电流不流动并且MOSFET器件处于截止状态。

在过去，半导体工业使用各种不同的器件结构和方法来形成MOSFET。一种垂直功率MOSFET的特定结构使用形成于MOSFET的有源区中的沟槽。所述沟槽的一部分被用作晶体管的栅极区。这些晶体管中的一些晶体管还具有帮助降低晶体管的栅到漏电容的屏蔽导体。晶体管的在有源区外部的另一部分通常被称为晶体管的终止区。通常，两个不同的导体形成于终止区中，以便与晶体管的栅极和屏蔽电极进行电接触。这两个导体通常覆在彼此上面而形成作为在终止区之内的衬底表面上的两个导体叠层。然而，这种结构通常有较高的堆叠高度，这使得难以可靠地制造它们并且具有高制造成本。

因此，具有如下的半导体组件和用于形成该半导体组件的方法将是有利的，即该方法带来更好的工艺控制和更低成本，并且带来更低的栅极和屏蔽导体的电阻。更为有利的是，可以成本高效地制造半导体组件。

附图说明

阅读了以下结合附图的详细描述后将会更好地理解本发明，在附图中类似的附图标记指示类似的元件，并且在附图中：

图1是根据本发明实施例的在制造期间的半导体组件的截面图；

图2是图1的半导体组件的平面图；

图3是在制造早期的图2的半导体组件的截面图；

图4是在制造稍后期的图3的半导体组件的截面图；

图5是在制造稍后期的图4的半导体组件的截面图；

图6是在制造稍后期的图5的半导体组件的截面图；

图7是在制造稍后期的图6的半导体组件的截面图；

图8是在制造稍后期的图7的半导体组件的截面图；

图9是在制造稍后期的图8的半导体组件的截面图；

图10是在制造稍后期的图9的半导体组件的截面图；

图11是在制造稍后期的图10的半导体组件的截面图；

图12是在制造稍后期的图11的半导体组件的截面图；

图13是在制造稍后期的图12的半导体组件的截面图；

图14是在制造稍后期的图13的半导体组件的截面图；

图15是在制造稍后期的图14的半导体组件的截面图；

图16是在制造稍后期的图15的半导体组件的截面图；

图17是在制造稍后期的图16的半导体组件的截面图；

图18是在制造稍后期的图17的半导体组件的截面图；

图19是在制造稍后期的图18的半导体组件的截面图；

图20是在制造稍后期的图19的半导体组件的截面图；

图21是在制造稍后期的图20的半导体组件的截面图；

图22是在制造稍后期的图21的半导体组件的截面图；

图23是根据本发明另一实施例的在制造期间的半导体组件的截面图；

图24是在制造稍后期的图23的半导体组件的截面图；以及

图25是在制造稍后期的图24的半导体组件的截面图。