[发明专利]非易失性存储器件的编程方法有效
| 申请号： | 200910206438.4 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101740127A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李载德;郑舜文;崔正达 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件的编程方法，包括：根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的编程方法，包括：根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏。
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