[发明专利]非易失性存储器件的编程方法

说明书

本申请要求享有于2008年11月12日提交的申请号为10-2008-0112237 的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及半导体存储器件，更具体而言，涉及非易失性存储器件的编 程方法。

背景技术

快闪存储器(flash memory)器件是通过一个编程操作来擦除或编程多 个存储区域的一类EEPROM。典型的EEPROM仅允许一次擦除或编程一个 存储区域，这意味着，与使用快闪存储器器件的系统同时读写的其它存储区 域相比，快闪存储器器件可以以更高的速度更有效地操作。在执行特定数量 的擦除操作后，由于用来存储数据的电荷存储(charge storage)装置的老化 以及被布置成围绕电荷存储装置的绝缘层的损坏，所有类型的快闪存储器器 件和EEPROM都会损坏。

快闪存储器器件可以以不需要电源就能保持硅片中存储的信息的方式 在硅片上存储信息。此外，快闪存储器器件可以抵抗物理撞击并可以提供相 对快速的读取访问时间。因此，快闪存储器器件可以被用作电池供电的设备 中的存储器。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种非易失性存储器件的编程方法。在一 些示例性实施例中，该编程方法可以包括：根据要被编程的数据来浮置被选 择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以 在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏。其中，以低于 编程电压的通过电压和高于通过电压且低于编程电压的电压中的一个来驱 动被选择存储单元的字线，以地电压、负电压和高于地电压且低于电源电压 的电压中的一个来驱动位于被选择存储单元的字线和共用源极线之间的未 选择存储单元的字线，并且以通过电压来驱动位于被选择存储单元的字线和 位线之间的未选择存储单元的字线。

在一些示例性实施例中，该编程方法可以包括：根据要被编程的数据以 位线电压来驱动位线，分别以相应的选择线电压来驱动串选择线，以第一字 线电压驱动被选择的字线，以第二字线电压驱动位于被选择字线和共用源极 线之间的字线，并以第三字线电压来驱动位于被选择字线和所述位线之间的 字线。所述第一字线电压等于或高于所述第三字线电压。所述第一字线电压 是低于编程电压的通过电压和高于通过电压且低于编程电压的电压中的任 一个，所述第二字线电压是地电压、负电压和高于地电压且低于电源电压的 电压中的一个，并且所述第三字线电压是通过电压。

在一些示例性实施例中，所述字线是从串选择线到地选择线的方向顺序 选择的。在所述第二字线电压是负电压的情形下，通过相应的开关晶体管以 相应的字线电压来驱动字线，所述开关晶体管分别在相应的阱中形成。所述 阱中的每一个可以是在衬底中形成的N阱内形成的P阱。所述阱中的每一个 可以由形成存储单元的袋形P阱(Pocket p-well，ppwell)独立地形成。

附图说明

附图和相应的详细描述将使本发明变得更加清楚。附图中图示的实施例 是出于示例的目的而非限制的目的而提供的，附图中相同的参考标号指代相 同或类似的元素。附图不需要按比例示出，相反重点被放在举例说明本发明 的各个方面。

图1是根据本发明的示例性实施例的非易失性存储器件的框图。

图2是根据本发明的示例性实施例的图1中示出的存储单元阵列的电路 图。

图3是示出根据本发明的示例性实施例的非易失性存储器件的编程操作 的流程图。

图4示出了根据本发明的示例性实施例的非易失性存储器件的编程操作 期间的偏置条件。

图5示出了在根据本发明的编程方法中的电子注入机制。

图6示出了在根据本发明的示例性实施例的非易失性存储器件的编程操 作期间沟道电势(channel potential)与横向电场(lateral electric field)之间 的关系。

图7到图10示出了根据本发明的其它示例性实施例的编程偏置条件。

图11是根据本发明的示例性实施例的包含高电压传输电路的行解码器 电路的框图。

图12是示出图11中的高电压传输电路的阱(well)结构的横截面视图。

图13示出了通过图11中示出的高电压传输电路提供通过电压(pass  voltage)时的阱偏置条件。