[发明专利]非易失性存储器件的编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件的编程方法，包括：

根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及

驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和 未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏，

其中：

以低于编程电压的通过电压和高于通过电压且低于编程电压的电压中 的一个来驱动被选择存储单元的字线，

以地电压、负电压和高于地电压且低于电源电压的电压中的一个来驱动 位于被选择存储单元的字线和共用源极线之间的未选择存储单元的字线，并 且

以通过电压来驱动位于被选择存储单元的字线和位线之间的未选择存 储单元的字线。

2.如权利要求1所述的编程方法，其中：

所述未选择存储单元具有擦除状态，并在被选择存储单元的编程操作之 后被编程。

3.如权利要求1所述的编程方法，其中：

在所述被选择存储单元是要被禁止编程的存储单元时，该被选择存储单 元的沟道被维持在地电压。

4.如权利要求1所述的编程方法，其中：

通过将对应于所述被选择存储单元的位线预充电至电源电压和地电压 中的任一个，并将选择线电压施加到位于所述位线和被选择存储单元之间的 选择晶体管，来浮置该被选择存储单元的沟道。

5.如权利要求4所述的编程方法，其中：

所述选择线电压被设置为从邻近位线到远离位线的方向逐渐增加。

6.如权利要求4所述的编程方法，其中：

通过将对应于所述被选择存储单元的位线预充电至电源电压和地电压 中的任一个，并将选择线电压施加到位于所述位线和被选择存储单元之间的 选择晶体管，来浮置该被选择存储单元的沟道，并且

该选择晶体管和该被选择存储单元之间的距离长于存储单元之间的距 离，以避免产生栅致漏极泄漏。

7.一种非易失性存储器件的编程方法，包括：

根据要被编程的数据以位线电压来驱动位线，分别以相应的选择线电压 来驱动串选择线，以第一字线电压驱动被选择的字线，以第二字线电压驱动 位于被选择字线和共用源极线之间的字线，并以第三字线电压来驱动位于被 选择字线和所述位线之间的字线，

其中，所述第一字线电压等于或高于所述第三字线电压，并且

其中：

所述第一字线电压是低于编程电压的通过电压和高于通过电压且低于 编程电压的电压中的任一个，

所述第二字线电压是地电压、负电压和高于地电压且低于电源电压的电 压中的一个，并且

所述第三字线电压是通过电压。

8.如权利要求7所述的编程方法，其中：

所述字线是从串选择线到地选择线的方向顺序选择的。

9.如权利要求7所述的编程方法，其中：

所述选择线电压被设置为从邻近位线到远离位线的方向逐渐增加。

10.如权利要求7所述的编程方法，其中：

当连接到被选择字线的存储单元是要被编程的存储单元时，所述位线电 压是电源电压，而当连接到被选择字线的存储单元是要被禁止编程的存储单 元时，该位线电压是地电压。

11.如权利要求7所述的编程方法，其中：

当所述第一字线电压被施加到被选择字线且所述第二字线电压被施加 到与该被选择字线直接相邻的字线时，通过栅致漏极泄漏在连接到该被选择 字线的存储单元和连接到该相邻字线的存储单元之间产生电子，

所产生的电子被该被选择字线与该相邻字线之间的电场加速，并且

被加速的电子被注入到连接到该被选择字线的存储单元中。

12.如权利要求7所述的编程方法，其中：

当根据要被编程的数据以位线电压驱动所述位线、并且分别以相应的选 择线电压驱动所述串选择线时，连接到该被选择字线的存储单元的沟道被浮 置。