[发明专利]含烧结接头的模块有效
| 申请号： | 200910203413.9 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101593709A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·古特;伊万·尼基廷 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/15;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明;李 慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种方法，包括将包含有金属颗粒、溶剂和烧结抑制剂的膏体施加于晶粒和金属层中的其中之一上。该方法包括使膏体中的溶剂蒸发并将晶粒和金属层中的该其中之一放置在晶粒和金属层中的另一个上，使得膏体与晶粒和金属层接触。该方法包括对晶粒和金属层中的该其中之一施加力并且分解烧结抑制剂以形成将晶粒连接至金属层的烧结接头。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 接头 模块 | ||
【主权项】：
1.一种制造模块的方法，所述方法包括：将包括金属颗粒、溶剂和烧结抑制剂的膏体施加于晶粒和金属层中的其中之一上；使所述膏体中的所述溶剂蒸发；将所述晶粒和所述金属层中的其中之一放置于所述晶粒和所述金属层中的另一个上，使得所述膏体与所述晶粒和所述金属层接触；对所述晶粒和所述金属层中的其中之一施加力；以及分解所述烧结抑制剂以形成将所述晶粒接合至所述金属层的烧结接头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
