[发明专利]含烧结接头的模块

权利要求书

1.一种制造模块的方法，所述方法包括：

将包括金属颗粒、溶剂和烧结抑制剂的膏体施加于晶粒 上；

使所述膏体中的所述溶剂蒸发；

在非氧化性气氛中加热包含金属层的基板；

将所述晶粒放置于所加热的金属层上，使得所述膏体与 所加热的金属层接触；以及

对所述晶粒和所述金属层中的其中之一施加力以形成将 所述晶粒接合至所述金属层的烧结接头，

其中，施加所述力包括在50ms至6000ms范围内的持续 时间上施加所述力。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，加热所述基板包括在150℃至400℃的温度范围 内加热所述基板。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，加热所述基板包括加热包含非贵金属层的基板。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中，施加所述力包括施加在1MPa至10MPa范围内的 力。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，蒸发所述溶剂包括将具有膏体的所述晶粒放置在 真空中。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，蒸发所述溶剂包括在25℃至200℃的温度范围内 加热所述膏体。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，施加所述膏体包括施加包含有Au、Ag和Cu颗粒 中的一种颗粒的膏体。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，施加所述膏体包括施加金属颗粒分布中至少50％ 的颗粒小于50nm的膏体。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中，施加所述膏体包括施加包含这样一种烧结抑制剂 的膏体，所述烧结抑制剂包含工业蜡。

10.一种制造模块的方法，所述方法包括：

将包含有金属颗粒、溶剂和烧结抑制剂的膏体施加至半 导体芯片；

干燥所述膏体以使所述溶剂蒸发；

在非氧化性气氛中加热包含金属表面的基板；

将所述半导体芯片放置在所加热的金属表面上，使得所 述膏体与所加热的金属表面接触；以及

对所述半导体芯片施加力以形成将所述半导体芯片接合 至所述金属表面的烧结接头，

其中，施加所述力包括在50ms至6000ms范围内的持续 时间上施加所述力。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中，干燥所述膏体包括在真空中在25℃至200℃的温 度范围内加热所述膏体。

12.根据权利要求10所述的方法，

其中，加热所述基板包括在150℃至400℃的温度范围 内加热所述基板。

13.根据权利要求10所述的方法，

其中，施加所述力包括施加在1MPa至10MPa范围内的 力。

14.根据权利要求10所述的方法，

其中，施加所述膏体包括印刷所述膏体和散布所述膏体 之一。

15.根据权利要求10所述的方法，

其中，施加所述膏体包括施加包含有Au、Ag和Cu颗粒 中的一种颗粒的膏体。

16.根据权利要求10所述的方法，

其中，施加所述膏体包括施加金属颗粒分布中至少95％ 的颗粒小于50nm的膏体。

17.根据权利要求10所述的方法，

其中，加热所述基板包括在索引隧道炉中加热所述基板。