[发明专利]制造坐标检测器的方法有效
| 申请号： | 200910203098.X | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101587413A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 近藤幸一 | 申请（专利权）人： | 富士通电子零件有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/045 | 分类号： | G06F3/045 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开一种制造坐标检测器的方法，其中该坐标检测器具有形成于由绝缘材料形成的基板上的电阻膜以及将电压施加到电阻膜上的公共电极。该基板包括四边形的形状。该方法包括以下步骤：a)通过去除沿着基板的外周边缘设置的电阻膜的预定的第一区域来形成第一电阻膜去除区域；b)在第一电阻膜去除区域上形成公共电极；c)给电阻膜施加电压；d)测量电阻膜的电位；e)根据测出的电位计算第二电阻膜去除区域的数据；以及f)根据算出的第二电阻膜去除区域的数据，通过将激光束照射到电阻膜的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 坐标 检测器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造坐标检测器的方法，其中该坐标检测器具有形成于由绝缘材料形成的基板上的电阻膜以及将电压施加到该电阻膜上的公共电极，该基板具有四边形的形状，该方法包括以下步骤：a)通过去除沿着所述基板的外周边缘设置的电阻膜的预定的第一区域来形成第一电阻膜去除区域；b)在第一电阻膜去除区域上形成公共电极；c)给所述电阻膜施加电压；d)测量所述电阻膜的电位；e)根据测出的电位计算第二电阻膜去除区域的数据；以及f)根据算出的第二电阻膜去除区域的数据，通过将激光束照射到所述电阻膜的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。
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