[发明专利]制造坐标检测器的方法有效

专利信息
申请号: 200910203098.X 申请日: 2009-05-19
公开(公告)号: CN101587413A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 近藤幸一 申请(专利权)人: 富士通电子零件有限公司
主分类号: G06F3/045 分类号: G06F3/045
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 坐标 检测器 方法
【权利要求书】:

1.一种制造坐标检测器的方法,其中该坐标检测器具有形成于由绝缘材料形成的基板上的电阻膜以及将电压施加到该电阻膜上的公共电极,该基板具有四边形的形状,该方法包括以下步骤:

a)通过去除沿着所述基板的外周边缘设置的电阻膜的预定的第一区域来形成第一电阻膜去除区域;

b)在第一电阻膜去除区域上形成公共电极;

c)给所述电阻膜施加电压;

d)测量所述电阻膜的电位分布;

e)根据测出的电位分布计算第二电阻膜去除区域的数据;以及

f)根据算出的第二电阻膜去除区域的数据,通过将激光束照射到所述电阻膜的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:

存储第二电阻膜去除区域的数据;以及

在随后制造包括具有相同图案或形状的电阻膜和公共电极的另一坐标检测器情况下,通过根据所存储的第二电阻膜去除区域的数据将激光束照射到所述电阻膜的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:

将所述基板安置于至少可以在二维的方向上移动的移动台上;以及

在根据所算出的第二电阻膜去除区域的数据来照射激光束的同时使移动台移动。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述电阻膜包括氧化铟锡即ITO、氧化铟、氧化锡、氧化锌或者三氧化二锑。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述基板和所述电阻膜显示出可见光范围内的波长的透光性质。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述激光束的波长在340-420nm的范围内。

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