[发明专利]制造坐标检测器的方法有效
申请号: | 200910203098.X | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN101587413A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 近藤幸一 | 申请(专利权)人: | 富士通电子零件有限公司 |
主分类号: | G06F3/045 | 分类号: | G06F3/045 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 坐标 检测器 方法 | ||
技术领域
本发明一般地涉及制造坐标检测器的方法。
背景技术
计算机系统的输入装置的实例包括触摸板。触摸板被安装在显示器上,它能够检测显示器上的坐标位置并获得与该坐标位置对应的检测信号。触摸板提供了直接的、简单的以及直观的输入。
触摸板的各种系统被提了出来,例如使用电阻膜的系统、使用光学成像的系统、以及使用电容耦合的系统。通常使用的是电阻膜型的触摸板,该触摸板结构简单且容易控制。有几种类型由电极在电阻膜上的布局而定的低电阻系统触摸板,例如四线式、五线式以及八线式。
其中,与四线或八线电阻膜触摸板相比,五线触摸板没有边缘滑移(edge sliding)的问题,边缘滑移是四线式和八线式的缺陷,因为布置于工作表面一侧的上基板的导电膜只是用来读取电位。因此,五线触摸板用于强烈使用的或者需要较长的有效使用寿命的环境。
图1是说明五线电阻膜触摸板的示图。
参照图1,五线电阻膜触摸板1包括上基板11和下基板12。
下基板12包括玻璃基板21以及形成于玻璃基板21的整个表面上的透明电阻膜22。用于检测x轴坐标的x坐标检测电极23和24以及用于检测y轴坐标的y轴检测电极25和26被形成于透明电阻膜22上。
上基板11包括膜基板31以及形成于膜基板31上的透明电阻膜32。用于检测坐标的坐标检测电极33被形成于透明电阻膜32上。
首先,施加到x坐标检测电极23和24上的电压引起下基板12上的透明电阻膜22在x轴方向的电位分布。在这一点上,上基板11接触下基板12的位置的x坐标能够通过检测在下基板12的透明电阻膜22上的电位来测定。
其次,施加到y坐标检测电极25和26上的电压引起下基板12的透明电阻膜22在y轴方向的电位分布。在这一点上,上基板11接触下基板12的位置的y坐标能够通过检测在下基板12的透明电阻膜22上的电位来测定。
在这一点上,如何在下基板12的透明电阻膜22上均匀地分布电位成为了这类触摸板的课题。日本公开专利申请No.10-83251(专利文献1)公开了为了电位在下基板12的透明电阻膜22上的均匀分布而提供多个阶段的外周电位分布修正模式。
日本公开专利申请No.2001-125724(专利文献2)设置了提供公共电极以便环绕输入表面。日本公开专利申请No.2007-25904(专利文献3)公开了在透明电阻膜上所设置的绝缘膜上形成开口以及穿过该开口施加电位。
希望由于坐标检测器要被安装于其上的设备在尺寸上的减小而使坐标检测器具有较窄的框架。但是,使专利文献1中所期望的坐标检测器的框架变窄是困难的,因为电位分布修正模式在外周上被提供于多个阶段中。
根据专利文献2所描述的方法,其中该专利文献2提供了在输入表面周围的公共电极,存在着透明电阻膜上的电位分布被干扰的问题,除非透明电阻膜的电阻与图形电阻(pattern resistance)的比值较高。
而且,根据专利文献3所描述的方法,其中该专利文献3提供了在已形成的绝缘膜上的开口,上述问题能够得到解决,但是制造方法变得复杂了。特别地,材料电阻在制造过程中的变化或者电阻在制造过程中的变化可以引起产品生产产量的降低。
发明内容
本发明可以提供用于制造坐标检测器的方法,该方法基本上消除一个或多个由现有技术的限制及缺点所引起的问题。
本发明的特征和优点将在下文的描述中予以阐述,并且在部分上从该描述及附图中可以变得显而易见,或者可以根据在该描述中所提供的教导通过实施本发明而认识到。本发明的目的以及其他特征和优点可以通过制造坐标检测器的方法来认识及实现,该坐标检测器在说明书中以非常充分的、清晰的、简明的以及精确的术语来特别指出,以使本领域技术人员能够实施本发明。
为了实现这些及其他优点以及根据本发明的目的,如在此所实施及广泛描述的,本发明的实施例提供了用于制造坐标检测器的方法,其中该坐标检测器具有形成于基板上由绝缘材料形成的电阻膜以及用于给电阻膜施加电压的公共电极,该基板具有四边形的形状,该方法包括步骤:a)通过去除预定的第一区域的电阻膜来形成第一电阻膜去除区域,该电阻膜沿着基板的外周边缘提供的;b)在第一电阻膜去除区域上形成公共电极;c)给电阻膜施加电压;d)测量电阻膜的电位;e)根据测出的电位计算第二电阻膜去除区域的数据;以及f)根据算出的第二电阻膜去除区域的数据,通过将激光束照射到电阻膜的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。
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