[发明专利]EEPROM的测试电路及其测试方法有效
| 申请号： | 200910202024.4 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110483A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 傅志军;刘晶;顾明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 200203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM的测试电路，包括四个晶体管和三个电阻；第一晶体管为PMOS，漏极连接内部高压端，衬底和源极相连接，源极通过第一电阻连接到外部高压端；第二晶体管为NMOS，漏极通过第一电阻连接到外部高压端，衬底和源极、栅极相连接并接地；第三晶体管为NMOS，漏极通过第三电阻连接到第一晶体管的栅极，源极连接第四晶体管的漏极，栅极连接内部高压使能端；第四晶体管为NMOS，漏极连接第三晶体管的源极，衬底和源极相连接并接地，栅极连接外部高压使能端；第二电阻的两端分别连接第一晶体管的源极和栅极；所述内部高压端连接EEPROM电路。本发明结构简单、实施方便，可以对故障EEPROM进行问题定位。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 测试 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种EEPROM的测试电路，其特征是，包括四个晶体管和三个电阻；第一晶体管为PMOS，漏极连接内部高压端，衬底和源极相连接，源极通过第一电阻连接到外部高压端；第二晶体管为NMOS，漏极通过第一电阻连接到外部高压端，衬底和源极、栅极相连接并接地；第三晶体管为NMOS，漏极通过第三电阻连接到第一晶体管的栅极，源极连接第四晶体管的漏极，栅极连接内部高压使能端；第四晶体管为NMOS，漏极连接第三晶体管的源极，衬底和源极相连接并接地，栅极连接外部高压使能端；第二电阻的两端分别连接第一晶体管的源极和栅极；所述内部高压端连接EEPROM电路。
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