[发明专利]EEPROM的测试电路及其测试方法

权利要求书

1.一种EEPROM的测试电路，其特征是，包括四个晶体管和三个电阻；

第一晶体管为PMOS，漏极连接内部高压端，衬底和源极相连接，源极通过第一电阻连接到外部高压端；

第二晶体管为NMOS，漏极通过第一电阻连接到外部高压端，衬底和源极、栅极相连接并接地；

第三晶体管为NMOS，漏极通过第三电阻连接到第一晶体管的栅极，源极连接第四晶体管的漏极，栅极连接内部高压使能端；

第四晶体管为NMOS，漏极连接第三晶体管的源极，衬底和源极相连接并接地，栅极连接外部高压使能端；

第二电阻的两端分别连接第一晶体管的源极和栅极；

所述内部高压端连接EEPROM电路。

2.根据权利要求1所述的EEPROM的测试电路，其特征是，当内部高压使能端关闭时，内部高压端的电压值为EEPROM电路的接入电压；当内部高压使能端开启时，内部高压端的电压值为EEPROM电路的擦写电压。

3.根据权利要求1所述的EEPROM的测试电路，其特征是，当外部高压使能端开启时，外部高压端的电压值为外加的外部高压信号，该外部高压信号的电压值大于或等于EEPROM的擦写电压的电压值；当外部高压使能端关闭时，外部高压端为零电压。

4.根据权利要求2所述的EEPROM的测试电路，其特征是，所述内部高压端始终连接到EEPROM电路中的高压产生电路的输出端；

当内部高压使能端开启时，EEPROM电路中的高压产生电路工作，输出端为擦写电压；

当内部高压使能端关闭时，EEPROM电路中的高压产生电路停止工作，输出端等于输入端为接入电压。

5.根据权利要求2所述的EEPROM的测试电路，其特征是，当内部高压使能端开启时，所述内部高压端连接到EEPROM电路中的擦写电压端；

当内部高压使能端关闭时，所述内部高压端连接到EEPROM电路中的接入电压端。

6.根据权利要求1所述的EEPROM的测试电路，其特征是，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管均为高压增强型MOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的EEPROM的测试电路，其特征是，所述第一电阻的阻值为100KΩ～500KΩ。

8.根据权利要求1所述的EEPROM的测试电路，其特征是，所述第二电阻的阻值满足：当外部高压端的外部高压信号从串联的第一电阻、第二电阻、第三电阻、第三晶体管、第四晶体管逐步分压至地线时，第二电阻两端所分的电压大于或等于第一晶体管的阈值电压。

9.如权利要求2或3所述的EEPROM的测试电路的测试方法，其特征是，

当内部高压使能端关闭、且外部高压使能端关闭时，内部高压端的接入电压使得第一晶体管中由漏极和衬底所形成的二极管导通，而其衬底与源极相连，这样内部高压端的接入电压就在损失所述二极管导通电压后传输到了第一晶体管的源极；在外部高压端经由第一电阻，可以测量得到EEPROM电路的接入电压的电压值；

当内部高压使能端开启、且外部高压使能端关闭时，内部高压端的擦写电压使得第一晶体管中由漏极和衬底所形成的二极管导通，而其衬底与源极相连，这样内部高压端的擦写电压就在损失所述二极管导通电压后传输到了第一晶体管的源极；在外部高压端经由第一电阻，可以测量得到EEPROM电路的擦写电压的电压值；

当内部高压使能端开启、且外部高压使能端开启时，从外部高压端沿着串联的第一电阻、第二电阻、第三电阻、第三晶体管、第四晶体管一直到地线的通路上产生电流；该电流在第二电阻两端的电压差使得第一晶体管导通；外部高压端的外加高压信号经由第一电阻，在第一晶体管导通的情况下，传输到了内部高压端，从而使内部高压端的电压值从接入电压升高至或高于擦写电压。

10.根据权利要求9所述的EEPROM的测试电路的测试方法，其特征是，第一晶体管中由漏极和衬底所形成的二极管的导通电压小于或等于EEPROM电路中的接入电压。