[发明专利]分离栅快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种分离栅快闪存储器及其制造方法。所述分离栅快闪存储器包括：半导体衬底；依次形成在半导体衬底上的隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层、控制栅；覆盖在控制栅侧壁的控制栅侧壁层；覆盖在控制栅侧壁层表面以及浮栅侧壁的侧壁氧化层；形成在所述半导体基底内且分别位于隧穿氧化层两侧的源极以及漏极；形成在源极上的擦除栅氧化层、形成在擦除栅氧化层上的擦除栅，形成在漏极上的字线，所述浮栅与擦除栅相邻的一侧具有凸出的顶角。该存储器具有以下优点：擦除效率高、能够从整体上大幅提升器件效率；字线的宽度不受影响，在布图设计时不用刻意增加字线的线宽；具有与现有工艺融合性好、产品性能稳定的优点，没有增加多余的掩模版。

主权项

一种分离栅快闪存储器，包括：半导体衬底；依次形成在所述半导体衬底上的隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层、控制栅；覆盖在栅间介质层和控制栅的侧壁的控制栅侧壁层；覆盖在控制栅侧壁层表面以及浮栅、隧穿氧化层侧壁的侧壁氧化层；形成在所述半导体基底内且分别位于所述隧穿氧化层两侧的源极以及漏极；形成在源极上的擦除栅氧化层、形成在擦除栅氧化层上且与侧壁氧化层接触的擦除栅，形成在漏极上且与侧壁氧化层接触的字线，其特征在于：所述浮栅与擦除栅相邻的一侧具有凸出的顶角。