[发明专利]分离栅快闪存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种分离栅快闪存储器，包括：

半导体衬底；

依次形成在所述半导体衬底上的隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层、控制栅；

覆盖在栅间介质层和控制栅的侧壁的控制栅侧壁层；

覆盖在控制栅侧壁层表面以及浮栅、隧穿氧化层侧壁的侧壁氧化层；

形成在所述半导体基底内且分别位于所述隧穿氧化层两侧的源极以及漏极；

形成在源极上的擦除栅氧化层、形成在擦除栅氧化层上且与侧壁氧化层接触的擦除栅，形成在漏极上且与侧壁氧化层接触的字线，

其特征在于：所述浮栅与擦除栅相邻的一侧具有凸出的顶角。

2.根据权利要求1所述的分离栅快闪存储器，其特征在于：所述顶角为角度为85°～89°的锐角。

3.根据权利要求1所述的分离栅快闪存储器，其特征在于：所述顶角在水平方向上与擦除栅重合。

4.根据权利要求3所述的分离栅快闪存储器，其特征在于：所述顶角在水平方向上与擦除栅重合的距离为10～90埃。

5.根据权利要求1所述的分离栅快闪存储器，其特征在于：所述的控制栅上还形成有控制栅氮化硅层、控制栅氧化硅层、控制栅硬掩膜层。

6.一种分离栅快闪存储器的制造方法，包括如下步骤：

提供半导体基底，在所述半导体基底上依次形成隧穿氧化层、浮栅多晶硅、栅间介质层、控制栅多晶硅、第一光刻胶；

以第一光刻胶为掩模，采用刻蚀工艺以图形化控制栅多晶硅、栅间介质层，出露浮栅多晶硅，形成复数个第一凹槽以及第二凹槽，图形化的控制栅多晶硅形成控制栅，去除第一光刻胶；

在控制栅以及栅间介质层的侧壁形成控制栅侧壁层，在控制栅侧壁层表面形成牺牲层；

在第一凹槽内以及第一凹槽槽口的控制栅硬掩膜层上形成第二光刻胶，以第二光刻胶为掩模对第二凹槽槽底的浮栅多晶硅进行第一离子注入；

以第二光刻胶为掩模，去除第二凹槽侧壁的牺牲层，去除第二光刻胶；

以控制栅硬掩膜层、第一凹槽侧壁的牺牲层、第二凹槽侧壁的控制栅侧壁层为掩模，采用刻蚀工艺以图形化浮栅多晶硅、隧穿氧化层，出露半导体基底，所述图形化的浮栅多晶硅形成浮栅；

去除第一凹槽侧壁的牺牲层，此时位于第一凹槽侧壁的浮栅上形成凸出的顶角；

在浮栅以及隧穿氧化层的侧壁、控制栅侧壁层的表面形成侧壁氧化层，在第一凹槽内形成擦除栅、第二凹槽内形成字线。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述牺牲层为与控制栅侧壁层选择刻蚀比高的材料。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述控制栅侧壁层为氧化硅-氮化硅的复合结构。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：所述牺牲层为氧化硅。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述去除第一凹槽侧壁的牺牲层以及第二凹槽侧壁的牺牲层为采用湿法刻蚀，刻蚀溶液为有效成分为氢氟酸的刻蚀溶液，该刻蚀溶液中HF的质量浓度小于等于2％。