[发明专利]晶体管的版图结构无效
申请号: | 200910201348.6 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN102104066A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 赵芳芳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭露了一种晶体管的版图结构,该版图结构包括:有源区、栅极区、源区以及漏区,所述栅极区位于所述有源区上,所述栅极区将所述源区和所述漏区分隔开,其中,所述有源区为弯曲结构。本发明减少了晶体管在栅极区长度方向的占用面积,提高了晶体管的集成度,降低了生产成本,并且提高了晶体管的性能。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 版图 结构 | ||
【主权项】:
一种晶体管的版图结构,包括:有源区、栅极区、源区以及漏区,所述栅极区位于所述有源区上,所述栅极区将所述源区和所述漏区分隔开,其特征在于,所述有源区为弯曲结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910201348.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类