[发明专利]晶体管的版图结构无效

专利信息
申请号: 200910201348.6 申请日: 2009-12-17
公开(公告)号: CN102104066A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 赵芳芳 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 20120*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭露了一种晶体管的版图结构,该版图结构包括:有源区、栅极区、源区以及漏区,所述栅极区位于所述有源区上,所述栅极区将所述源区和所述漏区分隔开,其中,所述有源区为弯曲结构。本发明减少了晶体管在栅极区长度方向的占用面积,提高了晶体管的集成度,降低了生产成本,并且提高了晶体管的性能。
搜索关键词: 晶体管 版图 结构
【主权项】:
一种晶体管的版图结构,包括:有源区、栅极区、源区以及漏区,所述栅极区位于所述有源区上,所述栅极区将所述源区和所述漏区分隔开,其特征在于,所述有源区为弯曲结构。
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