[发明专利]晶体管的版图结构无效
| 申请号： | 200910201348.6 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102104066A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 赵芳芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 版图 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管的版图结构，包括：有源区、栅极区、源区以及漏区，所述栅极区位于所述有源区上，所述栅极区将所述源区和所述漏区分隔开，其特征在于，所述有源区为弯曲结构。
2.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述有源区呈倒“L”形，所述倒“L”形的横段末端为所述源区，所述倒“L”形的竖段末端为所述漏区。
3.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述有源区为“U”形结构，所述“U”形的一端为所述源区，所述“U”形的另一端为所述漏区。
4.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述有源区为蛇形结构，所述蛇形的一端为所述源区，所述蛇形的另一端为所述漏区。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的晶体管的版图结构，其特征在于，还包括位于所述栅极区上的栅接触区。
6.如权利要求5所述的晶体管的版图结构，其特征在于，还包括位于所述源区上的源接触区。
7.如权利要求6所述的晶体管的版图结构，其特征在于，还包括位于所述漏区上的漏接触区。
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