[发明专利]一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法

摘要

本发明属微电子技术领域，涉及一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法。本发明在已形成栅介质的材料上用正胶进行光刻，形成一定面积的图形，再把淀积一定厚度的TiNx做栅极后，在TiNx薄膜上再淀积一定厚度的Al或直接用钛靶和铝靶在含氮气气氛下共溅射的方法获得AlxTiyN1-x-y合金化合物金属栅。所有的薄膜做完后再对材料进行liftoff处理，最终形成具有一定图形面积的Al/TiNx/栅介质层/衬底Si或者AlxTiyN1-x-y/栅介质层/衬底Si结构，然后对材料进行不同时间以及不同温度的快速热退火，在热的作用下，Al/TiNx叠层结构或者AlxTiyN1-x-y化合物薄膜结构将发生一定变化，使栅极的功函数发生相应变化。本发明通过铝的引入从而实现TiNx金属栅功函数的有效调节，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。

主权项

一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法，其特征是，把铝引入TiNx金属栅薄膜，使TiNx/栅介质界面处特性发生变化，调节TiNx栅电极功函数。