[发明专利]一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法

权利要求书

1.一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法，其特征是，把铝引入TiNx金属栅薄膜，使TiNx/栅介质界面处特性发生变化，调节TiNx栅电极功函数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的把铝引入TiNx金属栅薄膜，使TiNx/栅介质界面处特性发生变化其中包括：AlxTiyN1-x-y合金化合物金属栅在去胶处理后形成具有一定图形面积的Al/TiNx/栅介质层/衬底Si或者AlxTiyN1-x-y/栅介质层/衬底Si结构，然后进行不同温度及不同时间的退火，使Al/TiNx叠层结构或者AlxTiyN1-x-y化合物薄膜结构发生变化。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征是，所述AlxTiyN1-x-y合金化合物金属栅通过下述方法制备；在淀积的TiNx金属栅电极薄膜上再淀积一定厚度的铝，或者直接采用钛靶和铝靶在含氮气气氛下共溅射的方法获得。

4.根据权利要求2所述有效调制TiNx金属栅功函数的方法，其特征是，所述的去胶处理是，将材料置于丙酮中用超声波振动。

5.根据权利要求2所述有效调制TiNx金属栅功函数的方法，其特征是，所述的退火温度是350℃～650℃。

6.根据权利要求2所述有效调制TiNx金属栅功函数的方法，其特征是，所述的退火时间是15s～10min。