[发明专利]钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法无效
| 申请号： | 200910198956.6 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101701357A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 侯印春;张健 | 申请（专利权）人： | 上海特旺光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00;C30B29/32 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201818 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，包括下列具体步骤：①将二氧化钛粉末与三氧化二镧粉末按钛酸镧分子式La2Ti2O7的化学计量比称量原料，②将原料均匀搅拌，压块，经烧结后，装入真空感应加热装置的坩埚中，③采用真空感应加热和顶部施放籽晶生长钛酸镧晶体镀膜材料。本发明方法具有设备操作简单、运行安全可靠、可批量生产的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸镧 晶体 镀膜 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征是采用真空感应加热和顶部置放籽晶生长钛酸镧晶体镀膜材料的方法。
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