[发明专利]钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法

权利要求书

1.一种钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征是采用真空感应加热和顶部置放籽晶生长钛酸镧晶体镀膜材料的方法。

2.根据权利要求1所述的钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征在于该方法包括下列步骤：

①钛酸镧晶体的原料配制：

钛酸镧晶体的初级原料为TiO₂粉末和La₂O₃粉末，按以下反应式2TiO₂+La₂O₃＝La₂Ti₂O₇的化学计量比称量原料，经充分混合、压块后，经100～300℃烘干，制成晶体生长用的块料；

②将所述的块料装入真空感应加热装置的坩埚中，该真空感应加热装置包括一个坩埚，在该坩埚之外包围有上保温层、四周保温层和下保温层，在该四周保温层之外设置感应耦合线圈，通过加热体加热所述的坩埚中的原料，该感应耦合线圈与感应电源相连，整个真空感应加热装置置于真空炉中；

③采用真空感应加热和顶部放置籽晶生长钛酸镧晶体镀膜材料：

感应耦合线圈通电后，通过电磁耦合加热所述的坩埚，坩埚内的块料温度升至1800～1900℃，恒温，坩埚内原料完全熔化成为熔体，用籽晶夹具将钛酸镧籽晶置于该熔体原料上部的中心并浸入在熔体中，籽晶可以部分熔化，但不得全部熔化，此时炉内真空度为4～20Pa，恒温0.5～2小时，然后以每小时50～100℃的降温速率，经8～10小时缓慢降温至1400℃以下，关断电源，随炉温降至室温，即获得镀膜材料钛酸镧晶体。

3.根据权利要求2所述的钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征在于所述的坩埚是由铱、钼、或钨耐高温金属制成的。

4.根据权利要求2所述的钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征在于所述的发热体由石墨制成。

5.根据权利要求2所述的钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征在于所述的上保温层、四周保温层及下保温层由石墨、高温碳毡组成，或由氧化物耐火材料组成。

6.根据权利要求2所述的钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征在于所述的籽晶夹具，由耐高温金属铱、钼、钨材料组成，或具有冷却的其他金属材料组成。

7.根据权利要求2所述的钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征在于所述的感应电源为中频电源或射频电源。

8.根据权利要求2至7任一项所述的钛酸镧晶体镀膜材料的生长方法，其特征在于在所述的坩埚和所述的四周保温层之间还有圆筒形加热体。