[发明专利]用于图形化基底上形成无空洞介质填充的方法无效
| 申请号： | 200910198436.5 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102054688A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 向阳辉;荆学珍;曾贤成;李彬;李海艇;韩轶男 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于图形化基底上形成介质填充的方法以及相应的硅基液晶(LCOS)产品。该用于图形化基底上形成介质填充的方法包括：在第一淀积过程中，在图形化的基底上沉积第一介质薄膜；在第二淀积过程中，激发混合气体产生高密度等离子体，在图形化的基底上沉积第二介质薄膜；其中，所述第一淀积过程采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或者物理气相沉积(PVD)，所述第一介质薄膜的厚度大于小于通过使用本发明提供的方法，能够在高深宽比沟槽中，特别是大尺寸图形的高深宽比沟槽中实现无空洞的介质填充，有助于实现LCOS的优良光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图形 基底 形成 空洞 介质 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在图形化的基底上形成填充的方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在第一淀积过程中，在图形化的基底上沉积第一介质薄膜b.在第二淀积过程中，激发混合气体产生高密度等离子(HDP)，在图形化的基底上沉积第二介质薄膜，其中，所述第一淀积过程采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或者物理气相沉积(PVD)，所述第一介质薄膜的厚度大于![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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