[发明专利]用于图形化基底上形成无空洞介质填充的方法无效
| 申请号： | 200910198436.5 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102054688A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 向阳辉;荆学珍;曾贤成;李彬;李海艇;韩轶男 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 图形 基底 形成 空洞 介质 填充 方法 | ||
1.一种在图形化的基底上形成填充的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a.在第一淀积过程中，在图形化的基底上沉积第一介质薄膜
b.在第二淀积过程中，激发混合气体产生高密度等离子(HDP)，
在图形化的基底上沉积第二介质薄膜，
其中，所述第一淀积过程采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或者物理气相沉积(PVD)，所述第一介质薄膜的厚度大于小于
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二淀积过程的淀积刻蚀比为5～12。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述物理气相沉积包括磁控溅射和真空蒸发。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图形化的基底具有宽度小于0.5微米且深宽比高于1∶1的间隔以及尺寸大于5μm×5μm的图形。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质薄膜包括二氧化硅，或者磷硅玻璃，或者氟硅玻璃，或者氮化硅，或者氮氧化硅，或者它们的混合物。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合气体包括含硅气体，含氧或者含氮气体或者两者的混合气体，和载气。
7.一种硅基液晶，含括介质隔离的反射单元，其特征在于，所述介质隔离包括第一介质薄膜和第二介质薄膜，所述第一介质薄膜位于所述反射单元侧壁与第二介质薄膜中间，所述第一介质薄膜的厚度大于小于所述第一介质薄膜用于防止所述第二介质薄膜中产生空洞。
8.根据权利要求7所述的硅基液晶，其特征在于，所述第一介质薄膜和第二介质薄膜在同一真空室中沉积。
9.根据权利要求7所述的硅基液晶，其特征在于，所述第一介质薄膜和第二介质薄膜在不同真空室中沉积。
10.根据权利要求7所述的硅基液晶，其特征在于，所述第一介质薄膜为采用等离子体增强化学气相沉积制备的，或者磁控溅射制备的，或者真空蒸发制备的介质薄膜。
11.根据权利要求7所述的硅基液晶，其特征在于，反射单元具有宽度小于0.5微米且深宽比高于1∶1的间隔以及尺寸大于5μm×5μm的图形。
12.根据权利要求7所述的硅基液晶，其特征在于，所述介质隔离包括二氧化硅，或者磷硅玻璃，或者氟硅玻璃，或者氮化硅，或者氮氧化硅，或者它们的混合物。
13.根据权利要求7至12任一项所述的硅基液晶，其特征在于，所述第二介质薄膜为采用高密度等离子体化学气相沉积制备的介质薄膜。
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