[发明专利]制作半导体器件中的接触孔的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件中的接触孔的方法，所述方法包括下列步骤：在前端器件层上提供一介电层；在所述介电层上沉积一层多晶硅作为硬掩模层；在所述硬掩模层上旋涂第一底部抗反射涂层，然后涂敷带有图案的光刻胶层；以所述光刻胶层作为掩模，刻蚀所述第一底部抗反射涂层以及所述硬掩模层；去除所述光刻胶层以及第一底部抗反射涂层；以所述硬掩模层作为掩模，在所述介电层上刻蚀出接触孔；在所述接触孔中回填充第二底部抗反射涂层，回蚀所述第二底部抗反射涂层，使所述第二底部抗反射涂层的上表面与所述硬掩模层的下表面齐平或略高于后者；利用干法刻蚀去除所述硬掩模层；去除所述接触孔内部残留的第二底部抗反射涂层。

主权项

一种制作半导体器件中的接触孔的方法，所述方法包括下列步骤：在前端器件层上提供一介电层；在所述介电层上沉积一层多晶硅作为硬掩模层；在所述硬掩模层上旋涂第一底部抗反射涂层；在所述第一底部抗反射涂层上涂敷带有图案的光刻胶层；以所述光刻胶层作为掩模，刻蚀所述第一底部抗反射涂层以及所述硬掩模层，从而将所述光刻胶层的图案转移到所述硬掩模层上；去除所述光刻胶层以及第一底部抗反射涂层；以所述硬掩模层作为掩模，在所述介电层上刻蚀出接触孔；在所述接触孔中回填充第二底部抗反射涂层，直到第二底部抗反射涂层的上表面高于所述硬掩模层的上表面；回蚀所述第二底部抗反射涂层，使所述第二底部抗反射涂层的上表面与所述硬掩模层的下表面齐平或略高于后者；利用干法刻蚀去除所述硬掩模层；去除所述接触孔内部残留的第二底部抗反射涂层。