[发明专利]制作半导体器件中的接触孔的方法有效
| 申请号： | 200910197944.1 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102054743A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 朱磊;马德敬;朱娜;孙俊菊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/00;H01L27/02;H01L27/108;G11C11/417;H01L27/11;H01L27/112;H03K19/177 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 中的 接触 方法 | ||
1.一种制作半导体器件中的接触孔的方法，所述方法包括下列步骤：
在前端器件层上提供一介电层；
在所述介电层上沉积一层多晶硅作为硬掩模层；
在所述硬掩模层上旋涂第一底部抗反射涂层；
在所述第一底部抗反射涂层上涂敷带有图案的光刻胶层；
以所述光刻胶层作为掩模，刻蚀所述第一底部抗反射涂层以及所述硬掩模层，从而将所述光刻胶层的图案转移到所述硬掩模层上；
去除所述光刻胶层以及第一底部抗反射涂层；
以所述硬掩模层作为掩模，在所述介电层上刻蚀出接触孔；
在所述接触孔中回填充第二底部抗反射涂层，直到第二底部抗反射涂层的上表面高于所述硬掩模层的上表面；
回蚀所述第二底部抗反射涂层，使所述第二底部抗反射涂层的上表面与所述硬掩模层的下表面齐平或略高于后者；
利用干法刻蚀去除所述硬掩模层；
去除所述接触孔内部残留的第二底部抗反射涂层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度根据所述接触孔的深度和接触孔直径而进行选择。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度为500～3000埃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀所述硬掩模层的源气体是CF4以及O2的混合气体。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述CF4的流速为300～600sccm，O2的流速为400～800sccm。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二底部抗反射涂层的材料是有机材料，主要成分是聚合胺酸。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触孔的关键尺寸和接触孔深度之比为0.1～0.4。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用灰化工艺去除所述光刻胶层、所述第一和第二底部抗反射涂层。
9.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。
10.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
