[发明专利]只读存储器无效
| 申请号： | 200910197171.7 | 申请日： | 2009-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102044303A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张超 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/08 | 分类号： | G11C17/08 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种只读存储器，该只读存储器的读出放大电路包括：控制电压电路；第一晶体管，用于根据该第一晶体管的源极电流控制该第一晶体管的栅极电压，该第一晶体管的源极接收该存储单元的位线电流；第二晶体管，用于根据该第二晶体管的源极或者漏极电流控制该第二晶体管的栅极电压，该第二晶体管的源极或者漏极接收该读出放大电路的参考电流；第一放大器，该第一放大器与该第一晶体管反馈连接；第二放大器，该第二放大器与该第二晶体管反馈连接；电压型比较器，用于比较该第一、第二晶体管的栅极电压，并输出该存储单元中存储的数据。本发明的只读存储器能够使存储单元的位线电压相对电源电压保持稳定、读出速度也相对稳定、功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 | ||
【主权项】：
一种只读存储器，包括读出放大电路和多个存储单元，该读出放大电路用于读出存储在该存储单元中的数据，其特征在于，该读出放大电路包括：控制电压电路，用于产生该读出放大电路的参考电压的控制电压和该存储单元的位线电压的控制电压；第一晶体管，用于根据该第一晶体管的源极或者漏极电流控制该第一晶体管的栅极电压，该第一晶体管的源极或者漏极接收该存储单元的位线电流；第二晶体管，用于根据该第二晶体管的源极或者漏极电流控制该第二晶体管的栅极电压，该第二晶体管的源极或者漏极接收该读出放大电路的参考电流；第一放大器，该第一放大器与该第一晶体管反馈连接，用于根据该控制电压电路产生的控制电压控制该存储单元的位线电压；第二放大器，该第二放大器与该第二晶体管反馈连接，用于根据该控制电压电路产生的控制电压控制该读出放大电路的参考电压；电压型比较器，用于比较该第一、第二晶体管的栅极电压，并根据比较结果输出该存储单元中存储的数据。
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