[发明专利]只读存储器

权利要求书

1.一种只读存储器，包括读出放大电路和多个存储单元，该读出放大电路用于读出存储在该存储单元中的数据，其特征在于，该读出放大电路包括：

控制电压电路，用于产生该读出放大电路的参考电压的控制电压和该存储单元的位线电压的控制电压；

第一晶体管，用于根据该第一晶体管的源极或者漏极电流控制该第一晶体管的栅极电压，该第一晶体管的源极或者漏极接收该存储单元的位线电流；

第二晶体管，用于根据该第二晶体管的源极或者漏极电流控制该第二晶体管的栅极电压，该第二晶体管的源极或者漏极接收该读出放大电路的参考电流；

第一放大器，该第一放大器与该第一晶体管反馈连接，用于根据该控制电压电路产生的控制电压控制该存储单元的位线电压；

第二放大器，该第二放大器与该第二晶体管反馈连接，用于根据该控制电压电路产生的控制电压控制该读出放大电路的参考电压；

电压型比较器，用于比较该第一、第二晶体管的栅极电压，并根据比较结果输出该存储单元中存储的数据。

2.如权利要求1所述的只读存储器，其特征在于：该第一晶体管的栅极连接该第一放大器的输出端和该电压型比较器，该第一晶体管的漏极接收电源电压，该第一晶体管的源极接收该存储单元的位线电流，该第一放大器的正输入端接收该存储单元的位线电压，该第一放大器的负输入端接收该控制电压电路产生的控制电压。

3.如权利要求1所述的只读存储器，其特征在于：该第二晶体管的栅极连接该第二放大器的输出端和该电压型比较器，该第二晶体管的漏极接收电源电压，该第二晶体管的源极接收该读出放大电路的参考电流，该第二放大器的正输入端接收该读出放大电路的参考电压，该第二放大器的负输入端接收该控制电压电路产生的控制电压。

4.如权利要求1所述的只读存储器，其特征在于：每一存储单元均包括用于数据存储的第三晶体管和用于产生参考电流的第四晶体管，该第三晶体管接收位线电压并产生位线电流，该第四晶体管接收该参考电压并产生参考电流。

5.如权利要求4所述的只读存储器，其特征在于：该第三晶体管存储的数据包括两种状态，若该第三晶体管为BN型MOS晶体管且无重参杂的P型离子注入，该第三晶体管存储的数据状态为1，若该第三晶体管为BN型MOS晶体管且被重参杂的P型离子注入，该第三晶体管存储的数据状态为0。

6.如权利要求4所述的只读存储器，其特征在于：该第四晶体管为BN型MOS晶体管且无重参杂的P型离子注入，该第四晶体管的存储的数据状态保持为1。

7.如权利要求4所述的只读存储器，其特征在于：该只读存储器还包括第一、第二块选译码线，每一存储单元还包括第五、第六晶体管，该第三晶体管的栅极连接该存储单元的字线，该第五晶体管的栅极连接该第一块选译码线，该第六晶体管的栅极连接该第二块选译码线，该第三晶体管的漏极依次通过该第五晶体管的源、漏极接收该存储单元的位线电压，该第三晶体管的源极依次通过该第六晶体管的漏、源极接地。

8.如权利要求7所述的只读存储器，其特征在于：该第五、第六晶体管为BN型MOS晶体管。

9.如权利要求7所述的只读存储器，其特征在于：每一存储单元还包括第七、第八晶体管，该第四晶体管的栅极连接该存储单元的字线，该第七晶体管的栅极连接该第一块选译码线，该第八晶体管的栅极连接该第二块选译码线，该第四晶体管的漏极依次通过该第七晶体管的源、漏极接收该读出放大电路的参考电压，该第四晶体管的源极依次通过该第八晶体管的漏、源极接地。

10.如权利要求9所述的只读存储器，其特征在于：该第七、第八晶体管为BN型MOS晶体管。