[发明专利]将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法无效
| 申请号： | 200910196328.4 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102034692A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐茂泰;张妍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，将气体离子注入SiC主体的表层，注入后，SiC主体被气体层分为上部薄层和下部厚层两部分，在需要移植SiC的衬底载体的表面生长一层氧化物，将注入了气体层的SiC主体倒置，使上部薄层朝下，通过衬底载体表面的氧化层将该倒置的SiC主体与载体粘结在一起，加热，使气体膨胀，最终使SiC主体的上部薄层和下部厚层分离，将SiC的上表面磨平，高温退火，使SiC晶体修补完全。采用本发明的方法将碳化硅薄层移植到其他衬底上之后，剩余的SiC主体(下部厚层)还可以继续使用，故而成本大为下降。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 薄层 移植 其他 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1、将气体离子注入SiC主体的表层，注入后，SiC主体被气体层分为上部薄层和下部厚层两部分；步骤2、在需要移植SiC的衬底载体的表面生长一层氧化层；步骤3、将注入了气体层的SiC主体倒置，使上部薄层朝下，通过衬底载体表面的氧化层将该倒置的SiC主体与载体粘结在一起；步骤4、加热，使气体膨胀，最终使SiC主体的上部薄层和下部厚层分离；步骤5、高温退火，使SiC晶体修补完全。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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