[发明专利]将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法

权利要求书

1.一种将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1、将气体离子注入SiC主体的表层，注入后，SiC主体被气体

层分为上部薄层和下部厚层两部分；

步骤2、在需要移植SiC的衬底载体的表面生长一层氧化层；

步骤3、将注入了气体层的SiC主体倒置，使上部薄层朝下，通过衬底载体表面的氧化层将该倒置的SiC主体与载体粘结在一起；

步骤4、加热，使气体膨胀，最终使SiC主体的上部薄层和下部厚层分离；

步骤5、高温退火，使SiC晶体修补完全。

2.如权利要求1所述的将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，所述的步骤1中，注入深度范围为2um～10um。

3.如权利要求1所述的将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，所述的步骤1中，采用氢离子和氦离子注入。

4.如权利要求3所述的将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，所述氢离子的剂量为10¹⁷～10¹⁸，能量为100keV～400keV；所述氦离子的剂量为5×10¹⁶～5×10¹⁷，能量为100keV～400keV。

5.如权利要求1所述的将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，所述的步骤2中，所述的氧化层为SiO₂。

6.如权利要求1所述的将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，所述的步骤4中，加热到800～1400℃温度范围。

7.如权利要求1所述的将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，在所述步骤4和步骤5之间，本方法还包含步骤4.1：将SiC的上表面磨平。

8.如权利要求7所述的将碳化硅薄层移植到其他衬底上的方法，其特征在于，所述的步骤4.1中，采用能量为40～100keV的氩离子将SiC的上表面磨平。