[发明专利]阵列式场效应晶体管有效
| 申请号： | 200910196326.5 | 申请日： | 2009-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102024824A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/528;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阵列式场效应晶体管，其特征在于，包括：SOI衬底，形成于SOI衬底的阱线、扩散区以及互连区；所述扩散区以及互连区构成阵列式排布，通过“井”字形的阱线相间隔；所述阱线的导电类型与互连区相同，且与扩散区相反。与现有技术相比，本发明中扩散区与互连区构成阵列式结构，在不减小扩散区与互连阱的接触长度，即MOSFET的沟道宽度前提下，大幅增加了扩散区与互连阱的接触长度，提高扩散区与互连阱之间的寄生二极管的导通静电荷的能力，满足器件工作时释放扩散区中静电荷的需求，适于小尺寸器件的静电防护。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种阵列式场效应晶体管，其特征在于，包括：SOI衬底，形成于SOI衬底的阱线、扩散区以及互连区；所述扩散区以及互连区构成阵列式排布，通过“井”字形的阱线相间隔；所述阱线的导电类型与互连区相同，且与扩散区相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910196326.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
