[发明专利]阵列式场效应晶体管

权利要求书

1.一种阵列式场效应晶体管，其特征在于，包括：

SOI衬底，形成于SOI衬底的阱线、扩散区以及互连区；

所述扩散区以及互连区构成阵列式排布，通过“井”字形的阱线相间隔；

所述阱线的导电类型与互连区相同，且与扩散区相反。

2.如权利要求1所述的阵列式场效应晶体管，其特征在于，在所述阵列式排布中，单个互连区仅与扩散区相邻。

3.如权利要求2所述的阵列式场效应晶体管，其特征在于，所述阱线包括：

位于相邻扩散区之间的沟道阱；位于相邻扩散区与互连区之间的互连阱。

4.如权利要求3所述的阵列式场效应晶体管，其特征在于，所述沟道阱相对于SOI衬底的另一侧表面形成有栅极。

5.如权利要求1所述的阵列式场效应晶体管，其特征在于，所述阱线相对于SOI衬底的另一侧表面形成有介质层以及介质层上的多晶硅线。

6.如权利要求1所述的阵列式场效应晶体管，其特征在于，两个相邻的扩散区，一个作为源区，另一个则作为漏区。

7.如权利要求6所述的阵列式场效应晶体管，其特征在于，与互连区相邻的扩散区作为漏区。