[发明专利]形成用于制造集成电路器件的纳米晶态硅结构的方法无效
| 申请号： | 200910195982.3 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102024756A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;B81C1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成用于制造集成电路器件如存储器、动态随机存取存储器、闪存、只读存储器、微处理器、数字信号处理器、专用集成电路的纳米晶态硅结构的方法。该方法包括提供包括表面区域的半导体衬底。该方法形成在表面区域上面的绝缘层(例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)。在一个具体实施例中，该方法包括使用氯硅烷物种在绝缘层上面形成确定厚度少于二十纳米的非晶态硅材料。该方法包括使非晶态硅材料接受热处理工艺以造成形成由厚度少于二十纳米的非晶态硅材料获得的多个纳米晶态硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 制造 集成电路 器件 纳米 晶态 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成用于制造集成电路器件的纳米晶态硅结构的方法，所述方法包括：提供包括表面区域的半导体衬底；在所述表面区域上形成绝缘层；在所述绝缘层上面形成非晶态硅材料；对非晶态硅材料进行热处理工艺，形成多个纳米晶态硅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
