[发明专利]形成用于制造集成电路器件的纳米晶态硅结构的方法无效
| 申请号： | 200910195982.3 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102024756A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;B81C1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 用于 制造 集成电路 器件 纳米 晶态 结构 方法 | ||
1.一种形成用于制造集成电路器件的纳米晶态硅结构的方法，所述方法包括：
提供包括表面区域的半导体衬底；
在所述表面区域上形成绝缘层；
在所述绝缘层上面形成非晶态硅材料；
对非晶态硅材料进行热处理工艺，形成多个纳米晶态硅结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层是高K材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶态硅层由SiCl4气体提供。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶态硅层由SiH2Cl2气体提供。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶态硅材料由Si2Cl6气体提供。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶态硅层由SiHCl3气体提供。
7.根据权利要求1所述的方法，其中按预定厚度提供所述非晶态硅层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述非晶态硅材料的厚度少于约20纳米。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶态硅的形成被维持于真空环境之下。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在还原环境中提供所述热处理工艺。
11.根据权利要求1所述的方法，其中在存储电容器或者存储栅极中提供所述纳米晶态硅结构。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理工艺由熔炉提供。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理工艺由快速热退火提供。
14.根据权利要求1所述的方法，其中在大于约650摄氏度的温度提供时间段少于十分钟的所述热处理工艺。
15.根据权利要求1所述的方法，其中在少于约600摄氏度的温度提供所述非晶态硅材料的形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
