[发明专利]具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层的基板结构及其方法有效

专利信息
申请号: 200910177538.9 申请日: 2009-09-15
公开(公告)号: CN102034768A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 杨文焜 申请(专利权)人: 杨文焜
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/16;H01L23/48;H01L21/50
代理公司: 北京挺立专利事务所 11265 代理人: 叶树明
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭露一种具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层的基板结构及其方法,其包含一具有一金属垫的第一基板,一位于上述第一基板上表面的第一导线电路和一位于上述第一基板底表面的第二导线电路。一晶粒被配置于上述金属垫上。一第二基板具有一晶粒开口来容纳此此晶粒;一第三导线电路位于上述第二基板的上表面以及一第四导线电路位于上述第二基板的底表面。一黏着层填入于上述晶粒背面与上述第一基板上表面之间的间隙;以及上述晶粒侧壁与上述晶粒置入穿孔侧壁之间的间隙;以及上述第二基板的背侧。
搜索关键词: 具有 晶粒 埋入 以及 双面 覆盖 重增层 板结 及其 方法
【主权项】:
一种半导体组件封装结构,其特征在于:包含:一具有一金属垫的第一基板,一第一导线电路位于上束第一基板的上表面和一第二导线电路位于上述第一基板的底表面;一晶粒配置于上述金属垫之上;一第二基板具有一晶粒开口来容纳上述晶粒,一第三导线电路位于上述第二基板的上表面和一第四导线电路位于上述第二基板的底表面;以及一黏着层,填入于上述晶粒背面与上述第一基板上表面之间的间隙,和上述晶粒侧壁与上述晶粒开口侧壁以及上述第二基板的背侧之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨文焜,未经杨文焜许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910177538.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top