[发明专利]具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层的基板结构及其方法

权利要求书

1.一种半导体组件封装结构，其特征在于：包含：

一具有一金属垫的第一基板，一第一导线电路位于上束第一基板的上表面和一第二导线电路位于上述第一基板的底表面；

一晶粒配置于上述金属垫之上；

一第二基板具有一晶粒开口来容纳上述晶粒，一第三导线电路位于上述第二基板的上表面和一第四导线电路位于上述第二基板的底表面；以及

一黏着层，填入于上述晶粒背面与上述第一基板上表面之间的间隙，和上述晶粒侧壁与上述晶粒开口侧壁以及上述第二基板的背侧之间。

2.如权利要求1所述的半导体组件封装结构，其特征在于，更包含复数个第一导电穿孔藉由贯穿上述第一与上述第二基板所形成，来连接上述第一、第二、第三、及第四导线电路；以及贯穿上述第一基板以形成的复数个第二导电穿孔，以连接上述晶粒金属垫与上述第二导线电路。

3.如权利要求1所述的半导体组件封装结构，其特征在于，更包含一形成于上述晶粒与上述第二基板上面的第一介电层，上述第一介电层具有第一开口以使介层形成于其中，以连接上述晶粒的晶粒金属接触垫与上述第一导线电路，而重布层形成于上述第一介电层之上，经由上述介层与上述晶粒金属接触垫连接；以及一形成于上述第一介电层与上述重布层上的第二介电层，其中上述第二介电层具有第二开口以使凸块底层金属形成于其中以连接上述重布层，及焊接金属垫形成于上述重布层之上；以及一形成于上述第一基板底边与上述第四导线电路之下的第三介电层，其中上述第三介电层具有第三开口以使凸块底层金属形成于其中以连接上述第四导线电路。

4.如权利要求3所述的半导体组件封装结构，其特征在于，更包含与上述焊接金属垫耦合的导电凸块；以及复数个芯片尺寸封装、晶圆级芯片尺寸封装、球状矩阵排列、覆晶以及被动组件，经由上述导电凸块耦接上述焊接金属垫。

5.如权利要求1所述的半导体组件封装结构，其特征在于，其中上述第一基板与上述第二基板的材料包含耐高温玻璃纤维板、玻璃纤维板形式的环氧树脂、双马来酰亚胺三氮杂苯树脂、硅、印刷电路板材料、玻璃、陶瓷、合金金属。

6.如权利要求1所述的半导体组件封装结构，其特征在于，更包含第二晶粒嵌入于上述第二基板之内，上述第二基板堆栈于第一晶粒嵌入于其内的上述第一基板之上。

7.如权利要求1所述的半导体组件封装结构，其特征在于，其中上述黏着材料包含弹性核心胶体材料以作为应力缓冲层。

8.一种形成半导体组件封装的方法，包含：

提供一于其表面具有对准标记与暂时图案胶的工具；

藉由上述对准标记将一第二基板对准与附着于上述暂时图案胶上面；

藉由上述对准标记将一晶粒对准与附着于上述暂时图案胶上面，其中上述晶粒配置于上述第二基板的开口内；

将黏着材料印刷于上述晶粒的背侧与上述第二基板的底侧；

将一第一基板与上述黏着材料连接来形成一面板型基板；以及

将上述面板型基板与上述工具分开来移除上述暂时图案胶，其中上述暂时图案胶与上述工具的分开是藉由一薄型机械刀片。

9.如权利要求8所述的形成半导体组件封装的方法，其特征在于，更包含形成至少一增层于上述晶粒与上述第二基板上表面。

10.如权利要求8所述的形成半导体组件封装的方法，其特征在于，更包含形成至少一增层于上述第一基板底表面。

11.如权利要求8所述的形成半导体组件封装的方法，其特征在于，更包含形成导电穿孔来连接上述第二基板的上表面与底表面导线，及第一基板的上表面与底表面导线。

12.如权利要求8所述的形成半导体组件封装的方法，其特征在于，其中上述暂时图型胶具有图案以附着上述晶粒的焊接垫及上述第二基板的介层垫；以及上述对准标记包含单晶粒对准标记与上述第二基板的对准目标；以及上述晶粒藉由使用一挑选与放置微对准制程附着上述暂时图案胶之上。

13.如权利要求8所述的形成半导体组件封装的方法，其特征在于，其中上述面板型基板是在高温环境进行分离的制程。