[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200910170641.0 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101667455A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 圆山敬史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/04;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，其采取使主位线交叉的存储器阵列结构，存在以下类型：在监视初始短路故障的主位线漏电检查中，无法检测出短路故障。多个存储单元配置成矩阵状的存储单元区，被分割为多个区段(11、12)，分别包含规定数量的行。沿列方向延伸的多个主位线(MBL0～MBL7)在区段(11、12)间在1处或多处交叉具有交叉区。而且，本半导体存储装置，在各区段(11、12)上构成为可以向相邻的主位线提供互不相同的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有沿行方向和列方向多个存储单元被配置成矩阵状的存储单元区，该存储单元区被分割为多个区段，分别包含规定数量的行，其特征在于，包括：列选择电路，选择所述存储单元区的列；行选择电路，选择所述存储单元区的行；多个字线，对所述存储单元的每个行设置，与所述行选择电路连接；多个主位线，沿列方向延伸，与所述列选择电路控制的列选择晶体管连接；多个副位线，配置在各个所述区段内，沿列方向延伸；多个选择晶体管，对应各个所述副位线设置，电连接或截断所述主位线与所述副位线；多个选择线，沿行方向延伸，向所述选择晶体管的控制电极施加用来切换各个所述选择晶体管的导通或非导通状态的电压；和选择线选择电路，驱动所述选择线，所述行选择电路，选择与读出对象的存储单元连接的字线，所述多个主位线，在所述区段间具有在1处或多处发生交叉的交叉区，所述半导体存储装置构成为，在各个所述区段，可以对相邻的所述主位线提供互不相同的电压。
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