[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有沿行方向和列方向多个存储单元被配置成矩阵状的存储单元区，该存储单元区被分割为多个区段，分别包含规定数量的行，其特征在于，包括：

列选择电路，选择所述存储单元区的列；

行选择电路，选择所述存储单元区的行；

多个字线，对所述存储单元的每个行设置，与所述行选择电路连接；

多个主位线，沿列方向延伸，与所述列选择电路控制的列选择晶体管连接；

多个副位线，配置在各个所述区段内，沿列方向延伸；

多个选择晶体管，对应各个所述副位线设置，电连接或截断所述主位线与所述副位线；

多个选择线，沿行方向延伸，向所述选择晶体管的控制电极施加用来切换各个所述选择晶体管的导通或非导通状态的电压；和

选择线选择电路，驱动所述选择线，

所述行选择电路，选择与读出对象的存储单元连接的字线，

所述多个主位线，在所述区段间具有在1处或多处发生交叉的交叉区，

所述半导体存储装置构成为，在各个所述区段，可以对相邻的所述主位线提供互不相同的电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，包括：

分别设在所述多个主位线上，并且用来向相邻的所述主位线提供互不相同的电压的开关电路。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，包括：

检测相邻的所述主位线间的电流的电流检测电路。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，包括：

检测相邻的所述主位线间的电流的电流检测电路。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，包括：

检测相邻的所述主位线间的电流的端子。

6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，包括：

检测相邻的所述主位线间的电流的端子。

7.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，包括：

与所述开关电路连接的电压施加机构。

8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，包括：

控制所述开关电路的开关电路选择电路。