[发明专利]一种四氯化硅低温处理工艺无效
| 申请号: | 200910167680.5 | 申请日: | 2009-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN101693524A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
| 发明(设计)人: | 邵家蓉;张利平;张婉秋 | 申请(专利权)人: | 邵家蓉 |
| 主分类号: | C01B7/03 | 分类号: | C01B7/03;C01B33/20 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 643000 四川省自贡*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明为一种四氯化硅低温处理工艺,过程为:将四氯化硅和水导入到反应釜水解反应,将产生的HCl气体进行过滤,除去其中的杂质,得到高纯度HCl气体并进行回收,得到稀盐酸,将稀盐酸出厂销售。将反应釜中所产生的H4SiO4进行固液分离,获得H2SiO3,H2SiO3转化为硅酸盐类。本发明为低温反应,可以有效控制反应的速度,对于设备的要求不高,并且设备的工作功率低,能耗低。且本发明的产物为稀盐酸和硅酸盐类产品,有着很大的下游产业市场空间,是很多工业和民用产业的原料品,所以可以规模化,产业化地发展本发明技术。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 氯化 低温 处理 工艺 | ||
【主权项】:
一种四氯化硅低温处理工艺,其特征在于,它由以下步骤完成:(1.1)、四氯化硅和水导入到反应釜进行反应水解,得到H4SiO4和HCl,其化学式为:SiCl4+H2O→H4SiO4+HCl;(1.2)、将反应所产生的HCl气体进行过滤,除去其中的杂质,得到高纯度HCl气体;(1.3)、高纯度HCl气体进行至少三次回收,得到稀盐酸,将稀盐酸包装出厂销售,进入下游产业;(1.4)、将反应釜中所产生的H4SiO4进行固液分离,获得H2SiO3和H2O,H2SiO3转化为硅酸盐类,将硅酸盐类包装出厂销售,进入下游产业;H2O全部回收套用。
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