[发明专利]一种四氯化硅低温处理工艺无效
| 申请号： | 200910167680.5 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101693524A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 邵家蓉;张利平;张婉秋 | 申请（专利权）人： | 邵家蓉 |
| 主分类号： | C01B7/03 | 分类号： | C01B7/03;C01B33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 643000 四川省自贡*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氯化 低温 处理 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种四氯化硅低温处理工艺，其特征在于，它由以下步骤完成：
(1.1)、四氯化硅和水导入到反应釜进行反应水解，得到H4SiO4和HCl，其化学式为：SiCl4+H2O→H4SiO4+HCl；
(1.2)、将反应所产生的HCl气体进行过滤，除去其中的杂质，得到高纯度HCl气体；
(1.3)、高纯度HCl气体进行至少三次回收，得到稀盐酸，将稀盐酸包装出厂销售，进入下游产业；
(1.4)、将反应釜中所产生的H4SiO4进行固液分离，获得H2SiO3和H2O，H2SiO3转化为硅酸盐类，将硅酸盐类包装出厂销售，进入下游产业；H2O全部回收套用。
2.根据权利要求1所述的一种四氯化硅低温处理工艺，其特征在于，所述的水和四氯化硅是分多次少量导入到反应釜中。
3.根据权利要求1所述的一种四氯化硅低温处理工艺，其特征在于，反应釜中工作温度为0℃～40℃。
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