[发明专利]一种四氯化硅低温处理工艺无效

专利信息
申请号: 200910167680.5 申请日: 2009-09-18
公开(公告)号: CN101693524A 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 邵家蓉;张利平;张婉秋 申请(专利权)人: 邵家蓉
主分类号: C01B7/03 分类号: C01B7/03;C01B33/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 643000 四川省自贡*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 氯化 低温 处理 工艺
【说明书】:

所属技术领域

发明涉及一种四氯化硅处理工艺。

背景技术

四氯化硅是多晶硅生产中的附产物,多晶硅为电子工业和光伏产业所需要的主要原料,在多晶硅的生产中,每生产1吨多晶硅,将产生15~20吨四氯化硅,目前,我国在建、已建多晶硅规模已达9万吨/年,且随太阳能(光伏产业)的发展,多晶硅产业正随几何级数发展,附产物四氯化硅同比增长,预计将达到160万吨/年。

未经处理的四氯化硅是一种具有强腐蚀性的化学物品,受热或遇水分解放热,放出有毒的腐蚀性烟气,对环境危害极大。

对于四氯化硅的处理,当前国际上主要的途径为制备气相法白炭黑技术、热氢化制备三氯氢硅技术、氯氢化制备三氯氢硅技术。

将四氯化硅热氢化后再生成生产多晶硅的原料,可以回收利用一部分四氯化硅,但不能彻底回收,并且能耗高,已被国际上淘汰;氯氢化技术属于未成熟技术;气相法白炭黑主要在硅橡胶上、橡胶中、塑料上应用,但是目前其产量已经大大超出了市场容量。

综上所述,如何安全处理和有效利用四氯化硅,已成为关系到多晶硅产业能否健康发展的关键问题和地球环境问题。

发明内容

针对以上所述问题,本发明提供了一种处理安全、处理能耗低、符合国家循环经济产业政策,可以产业化规模化处理四氯化硅的工艺技术。

本发明由以下步骤完成:

1.将四氯化硅和水少量多次导入到反应釜中,进行0℃~40℃的低温反应水解,得到H4SiO4和HCl:

2.将反应所产生的HCl气体进行过滤,除去其中的杂质,得到高纯度HCl气体;

3.高纯度HCl气体进行多次回收,得到稀盐酸,将稀盐酸包装出厂销售,进入下游产业;

4.将反应釜中所产生的H4SiO4进行固液分离,获得H2SiO3和H2O,H2SiO3转化为硅酸盐类,将硅酸盐类包装出厂销售,进入下游产业。H2O全部回收套用。

本发明的优点在于,在反应釜中进行低温反应,可以有效控制反应的速度,让反应产生的HCl气体可以进行控制,纯度达到回收利用要求。

采用本发明进行四氯化硅的处理,由于是在低温状态下和受控状态下进行的,对于设备的要求可以不必要很高,并且设备的工作功率低,能耗低。

本发明的产物为稀盐酸和硅酸盐类产品,有着很大的下游产业市场空间,是很多工业和民用产业的原料品,实现了废物处理的零排放,所以可以规模化,产业化地发展本发明技术。

具体实施方式

本发明是由以下步骤完成的:

1.将四氯化硅和水少量多次导入到反应釜,进行0℃~40℃的低温反应水解,得到H4SiO4和HCl;

2.将反应所产生的HCl气体进行过滤,除去其中的杂质,得到高纯度HCl气体;

水份可以进行再次利用,过滤的硅酸进行回收。

3.高纯度HCl气体进行至少三次回收,进入稀盐酸槽,得到稀盐酸,将稀盐酸包装出厂销售,进入下游产业;

4.将反应釜中所产生的H4SiO4进行固液分离,获得H2SiO3和H2O,H2O进行再次利用,可以用于对四氯化硅的反应,H2SiO3转化为硅酸盐类,将硅酸盐类包装出厂销售,进入下游产业。H2O全部回收套用。

硅酸盐类产品,有着很大的下游产业市场空间,是很多工业和民用产业的原料品。

在对四氯化硅进行反应环节,对反应温底进行控制,保持0℃~40℃低温状态下进行反应,这样在之后的HCl气体提纯和回收环节可以进行操作。

本发明以上所述为示例性的描述,并不是本发明所要保护的范围,任何在本技术基础上所改动的,均超出本发明保护范围。

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