[发明专利]可编程只读存储器无效
| 申请号： | 200910166223.4 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101656109A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | Z·陈;S·库尔卡尼;K·张 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C17/14 | 分类号： | G11C17/14;G11C17/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王 英;刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种存储单元的阵列。所述存储单元包括熔丝和至少一个晶体管。晶体管用于控制熔丝的编程或读出。将编程电压应用到第一和第二导电层的堆。该堆的第一部分将编程电压耦合到单元中的晶体管的一端。该堆的第二部分将编程电压耦合到另一个单元中的晶体管的一端。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1、一种装置，包括：电压提供端；至少两个堆叠的导电层；以及第一单元，其中所述第一单元包括至少具有第一端的晶体管，并且使用所述至少两个堆叠的导电层的一部分，将所述第一端导电地耦合到所述电压提供端。
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