[发明专利]可编程只读存储器

权利要求书

1、一种装置，包括：

电压提供端；

至少两个堆叠的导电层；以及

第一单元，其中

所述第一单元包括至少具有第一端的晶体管，并且

使用所述至少两个堆叠的导电层的一部分，将所述第一端导电地 耦合到所述电压提供端。

2、根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一单元还包括熔丝，该 熔丝被导电地耦合到所述晶体管。

3、根据权利要求2所述的装置，其中，所述熔丝包括从一种或多种金 属和多晶硅中选择的材料。

4、根据权利要求1所述的装置，其中

所述第一单元还包括熔丝，

所述晶体管包括第二端和第三端，

所述第二端被耦合用于接收行选择信号，以及

所述第三端被耦合到所述熔丝。

5、根据权利要求4所述的装置，其中

所述晶体管包括至少一个PMOS晶体管，

所述第一端包括源极端，

所述第二端包括漏极端，以及

所述第三端包括栅极端。

6、根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少两个堆叠的导电层至 少包括第一金属层，该第一金属层通过过孔导电地耦合到第二金属层。

7、根据权利要求4所述的装置，其中，所述熔丝所在的平面在所述晶 体管所在的平面的上方。

8、根据权利要求4所述的装置，其中，所述熔丝与所述晶体管实质上 位于相同的平面上。

9、根据权利要求1所述的装置，还包括第二单元。

10、根据权利要求9所述的装置，其中，所述第二单元包括第一端， 并且其中，所述至少两个堆叠的导电层的第二部分将所述电压提供端导电 地耦合到所述第二单元的所述第一端。

11、根据权利要求1所述的装置，还包括第一和第二读出放大器以及 第一和第二列单元，其中，所述第一列单元使用所述第一读出放大器，并 且所述第二列单元使用所述第二读出放大器。

12、根据权利要求1所述的装置，还包括读出放大器和多列单元，并 且其中，所述多列单元共享相同的读出放大器。

13、根据权利要求1所述的装置，还包括：

行选择逻辑，用于选择行；

列选择逻辑，用于选择列；以及

转换逻辑，用于调整应用到所选择的行中的单元的电压。

14、一种方法，包括：

形成编程电压端，用于接收编程电压；

形成具有第一端的第一存储单元；以及

形成导电层的堆，其中，所述第一和第二导电层的一部分将所述编程 电压端导电地耦合到所述第一存储单元的所述第一端。

15、根据权利要求14所述的方法，其中

所述第一存储单元包括熔丝和晶体管，

所述晶体管包括所述第一端、第二端和第三端，

所述第二端被耦合用于接收行选择信号，以及

所述第三端被耦合到所述熔丝。

16、根据权利要求15所述的方法，其中

所述晶体管包括至少一个PMOS晶体管，

所述第一端包括源极端，

所述第二端包括漏极端，以及

所述第三端包括栅极端。

17、根据权利要求16所述的方法，其中，所述熔丝包括从一种或多种 金属和多晶硅中选择的材料。

18、根据权利要求14所述的方法，还包括：

在所述堆的导电层之间形成过孔。

19、根据权利要求14所述的方法，还包括：

形成具有第一端的第二存储单元；以及

将所述堆的第二部分耦合到所述第二存储单元的所述第一端。