[发明专利]操作非易失性存储器的方法有效
| 申请号： | 200910151425.1 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101789264A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李正焕;朴成济 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 操作非易失性存储器的方法，所述方法包括：对存储单元执行第一编程操作和第一验证操作直到出现具有高于第一参考电压的阈值电压的单元；以及，当出现具有高于第一参考电压的阈值电压的单元时，执行第二编程操作并且使用高于第一参考电压的第二参考电压来执行第二验证操作。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括：在存储单元上执行第一编程操作和第一验证操作直到出现具有高于第一参考电压的阈值电压的单元；以及，当出现具有高于所述第一参考电压的阈值电压的单元时，执行第二编程操作并且使用高于所述第一参考电压的第二参考电压来执行第二验证操作。
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