[发明专利]操作非易失性存储器的方法

说明书

相关申请的交叉引用

要求于2009年1月23日提交的韩国专利申请第10-2009-0006026号 的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

背景技术

一个或更多实施例涉及操作非易失性存储器的方法。

近来，对可以电编程和电擦除并且不需要以某些间隔再写数据的刷新 功能的非易失性存储器的需求日益增多。

非易失性存储单元能够实现电编程/电擦除操作并且能够在电子通过 施加到薄氧化物层上的强电场而移动时通过改变阈值电压来执行编程和 擦除操作。

非易失性存储器可以：包括存储单元阵列，其中被配置成存储数据的 单元排列成矩阵形式；以及页面缓冲器，配置成将数据写入到存储单元阵 列的具体单元中或者读取存储在存储单元阵列的具体单元中的数据。页面 缓冲器包括：连接到某些存储单元的位线对；寄存器，配置成临时存储要 被编程到存储单元阵列中的数据或者临时存储从存储单元阵列的某些单 元读取的数据；感测节点，配置成感测某一位线或某一寄存器的电压电平； 以及位线选择单元，配置成控制是否连接某一位线和感测节点。

在这种非易失性存储器的验证操作中，存在以下问题：由于源线跳动 现象(bouncing phenomenon)出现不足编程单元(under-programmed cell)，从而引起读取裕度降低。此外，出现跳动现象，即其中源线的电压 电平依赖于相邻单元(例如，在端部的单元)的编程状态而变化。因而， 通过具体单元的电流水平变化。因而，得到被确定为已经编程而实际上没 有被完全编程的单元(即不足编程单元)。

没有被编程为具有第一参考电压PV1或更高电压的单元可能被确定 为已经编程。因而，对应于第一参考电压PV1和读取电压Vread之间的 差的读取裕度减少。这种现象可能对多级单元(MLC)编程方法不利。 这是因为，在MLC编程方法中，期望在两个或更多的阈值电压的分布之 间的读取裕度更大。

发明内容

一个或更多个实施例涉及操作非易失性存储器的方法，该方法通过在 一定时间之后升高验证操作的参考电压来执行验证以便防止出现不足编 程单元。

一个实施例涉及一种操作非易失性存储器的方法，包括：对存储单元 执行第一编程操作和第一验证操作直到出现具有高于第一参考电压的阈 值电压的单元，以及，当出现具有高于第一参考电压的阈值电压的单元时， 执行第二编程操作并且使用高于第一参考电压的第二参考电压来执行第 二验证操作。

第二参考电压可以高于第一参考电压约50mV。第二编程操作和第二 验证操作将执行少于或者等于预定数目的次数。第二编程操作和第二验证 操作可以执行多达两次或三次。

当存储在页面缓冲器中的数据变为编程完成数据时，可以确定出现了 具有高于第一参考电压的阈值电压的单元。

该方法还包括：如果在第二编程操作和第二验证操作已经执行了预定 的次数后执行进一步的编程操作，则执行第三编程操作和第一验证操作。

另一实施例涉及一种操作非易失性存储器的方法，包括：对存储单元 执行第一编程操作和第一验证操作直到出现具有高于第一参考电压的阈 值电压的单元；当出现具有高于第一参考电压的阈值电压的单元时，执行 第二编程操作并且使用高于第一参考电压的第二参考电压来执行第二验 证操作；以及，在第二编程操作和第二验证操作已经执行了预定次数后， 执行第三编程操作和第一验证操作直到存储单元的阈值电压高于第一参 考电压。

又一实施例涉及一种操作非易失性存储器的方法，包括：对第一、第 二、和第三存储单元执行第一编程操作和第一验证操作直到出现具有高于 第一参考电压的阈值电压的第一存储单元；以及，当出现具有高于第一参 考电压的阈值电压的第一存储单元时，以等于或少于预定数目的次数来执 行第二编程操作和第二验证操作。可以使用高于第一参考电压的第二参考 电压来执行第二验证操作。