[发明专利]操作非易失性存储器的方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括：

在存储单元上执行第一编程操作和第一验证操作直到存储单元中首 次出现具有高于第一参考电压的阈值电压的存储单元；以及，

当在存储单元中首次出现具有高于所述第一参考电压的阈值电压的 存储单元时，执行第二编程操作和第二验证操作，而不在存储单元中的不 具有高于所述第一参考电压的阈值电压的其他存储单元上进一步执行第 一编程操作和第一验证操作，其中所述第二验证操作使用高于所述第一参 考电压的第二参考电压来进行阈值电压检测。

2.如权利要求1的方法，其中所述第二编程操作和所述第二验证操作 被执行少于或者等于预定数目的次数。

3.如权利要求2的方法，进一步包括：在所述第二编程操作和所述第 二验证操作的执行次数达到了所述预定数目后，执行第三编程操作和所述 第一验证操作。

4.如权利要求1的方法，其中当存储在页面缓冲器中的数据变为编程 完成数据时，确定出现了具有高于所述第一参考电压的阈值电压的存储单 元。

5.如权利要求1的方法，其中所述第二参考电压高于所述第一参考电 压50mV。

6.如权利要求1的方法，其中所述第二编程操作和所述第二验证操作 执行多达两次或三次。

7.一种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括：

对存储单元执行第一编程操作和第一验证操作直到出现具有高于第 一参考电压的阈值电压的单元；

当出现具有高于所述第一参考电压的阈值电压的单元时，执行第二编 程操作并且使用高于所述第一参考电压的第二参考电压来执行第二验证 操作；以及，

在所述第二编程操作和所述第二验证操作执行了预定次数后，执行第 三编程操作和所述第一验证操作直到存储单元的阈值电压高于所述第一 参考电压。

8.一种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括：

对存储单元执行第一编程操作和第一验证操作直到在存储单元中首 次出现具有高于第一参考电压的阈值电压的第一存储单元；以及，

当首次出现具有高于所述第一参考电压的阈值电压的所述第一存储 单元时，以等于或少于预定次数的次数来执行第二编程操作和第二验证操 作，而不在存储单元中的不具有高于所述第一参考电压的阈值电压的其他 存储单元上进一步执行第一编程操作和第一验证操作；

其中使用高于所述第一参考电压的第二参考电压来来进行阈值电压 检测以执行所述第二验证操作。

9.如权利要求8的方法，进一步包括：如果在所述第二编程操作和所 述第二验证操作已经执行了所述预定次数后要执行进一步的编程操作和 进一步的验证操作，则执行第三编程操作和所述第一验证操作。

10.如权利要求8的方法，进一步包括：如果在所述第二编程操作和 所述第二验证操作已经执行了所述预定次数后要执行进一步的编程操作 和进一步的验证操作，则执行第三编程操作、所述第一验证操作和所述第 二验证操作。

11.如权利要求8的方法，进一步包括：如果在所述第二编程操作和 所述第二验证操作已经执行了所述预定次数后要执行进一步的编程操作 和进一步的验证操作，则执行第三编程操作、所述第一验证操作和第三验 证操作，

其中使用高于所述第二参考电压的第三参考电压来进行阈值电压检 测以执行所述第三验证操作。

12.如权利要求8的方法，其中在所述第一编程操作和所述第一验证 操作的执行中，当存储在页面缓冲器中的数据变为编程完成数据时，确定 出现了具有高于所述第一参考电压的阈值电压的所述第一存储单元。

13.如权利要求8的方法，其中所述第二参考电压高于所述第一参考 电压50mV。

14.如权利要求8的方法，其中所述第二编程操作和所述第二验证操 作执行多达两次或三次。