[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910150549.8 申请日: 2009-06-19
公开(公告)号: CN101609827A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 波多野薰;千田章裕;永田贵章;坂仓真之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/14;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李 玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种无需在纤维体中打贯穿孔而可以在预浸料的内部形成导电区域的方法。发明提供一种布线衬底包括:有机树脂层和纤维体,其中所述纤维体浸渗有所述有机树脂层,以及浸渗在所述纤维体中的通过溶解所述有机树脂层而形成的布线,其中所述布线露出在所述有机树脂层的两个表面并以所述纤维体位于所述布线中的方式穿过所述纤维体。发明还提供一种半导体装置,其中以使凸块接触于所述布线的方式,将具有所述凸块的集成电路芯片贴合到所述布线衬底。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种布线衬底,包括:有机树脂层和纤维体,所述纤维体浸渗有所述有机树脂层;以及贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树脂层的上下表面的一部分的布线,所述纤维体的所述一部分浸渗有所述布线,其中,所述纤维体的所述一部分位于所述布线中。
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