[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910150549.8 申请日: 2009-06-19
公开(公告)号: CN101609827A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 波多野薰;千田章裕;永田贵章;坂仓真之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/14;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李 玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种将半导体集成电路或电路衬底电并/或机械连接的 布线衬底,以及应用其的半导体装置。

背景技术

将热固性树脂浸渗在用作加固材料的片状纤维体中,并将成为半 固化状态的预浸料(prepreg)用作电路衬底等的材料。

例如,已知以下的预浸料:通过在预定部分打通贯穿孔,并且通 过加热加压对该贯穿孔填充成为通过绝缘层的导体的导电膏而形成 (参照专利文献1,日本专利申请公开2007-091822号公报)。在此情 况下,贯穿孔是通过对预浸料利用激光、钻头、打孔等形成的。

此外,公开了一种作为半导体装置的密封材料使用预浸料的材料 (参照专利文献2,日本专利申请公开2008-112988号公报)。

发明内容

但是,在如预浸料等的在纤维体中浸渗有有机树脂的复合衬底(以 下也称为树脂浸渗纤维体复合衬底,a resin-impregnated fibrous-body composite substrate)中形成贯穿孔会对用作加固材 料的片状纤维体造成损伤,而使树脂浸渗纤维体复合衬底的强度变差。 在使用树脂浸渗纤维体复合衬底作为密封材料的情况下,若为形成贯 穿布线而在该密封材料中打通贯穿孔,则导致气密性变差而使其不适 于用作密封材料。再者,由于需要对片状纤维体和树脂层的双方打孔, 还存在制造工序增加的问题。

由此本说明书所公开的发明的一个方式在于提供一种在保持片状 纤维体的强度的同时,贯穿树脂浸渗纤维体复合衬底的导电性图案。另 外本发明的目的还在于将提供有贯穿的导电性图案的树脂浸渗纤维体 复合衬底用作密封材料。

本发明的一个方式是一种布线衬底,包括:提供在片状纤维体的 两面上并浸渗到片状纤维体的内部的有机树脂层,以及通过溶解所述 有机树脂层的一部分而形成的浸渗在所述片状纤维体中的贯穿布线。 所述贯穿布线露出在所述有机树脂层的上下表面,并且以所述片状纤 维体位于所述贯穿布线中的方式浸渗到所述片状纤维体。该贯穿布线 使用导电树脂形成,所述导电树脂露出在所述片状纤维体的上下表面, 所述导电树脂以所述片状纤维体位于所述导电树脂中的方式浸渗到片 状纤维体的一部分,并且在所述片状纤维体中浸渗所述导电树脂。通 过将导电树脂浸渗到片状纤维体,可以使有机树脂层的表面和背面两 面导通。在此情况下,由于片状纤维体残留在布线衬底的整个面上而 不会剥落,所述片状纤维体起到加固材料的作用。

本发明的另一个方式是一种半导体装置,包括:包括提供在片状 纤维体的两面上并浸渗到该片状纤维体的内部的有机树脂层的树脂浸 渗纤维体复合衬底,以及通过溶解所述有机树脂层的一部分而形成的 浸渗在所述片状纤维体中的贯穿布线,其中所述贯穿布线露出在所述 有机树脂层的上下表面并且以所述片状纤维体位于所述贯穿布线中的 方式浸渗到所述片状纤维体的一部分,所述树脂浸渗纤维体复合衬底 固定有具有露出在绝缘层的表面上的布线(凸块)的集成电路芯片, 所述集成电路芯片的所述凸块与所述树脂浸渗纤维体复合衬底的所述 贯穿布线紧密接触,所述贯穿布线以所述导电树脂浸渗到所述片状纤 维体的方式形成,通过所述片状纤维体残留在所述树脂浸渗纤维体复 合衬底的整个面上而不会剥落,所述片状纤维体起到保持机械强度以 及气密性的作用。

本发明的另一个方式是一种布线衬底的制造方法,包括如下步骤: 在片状纤维体中浸渗有机树脂层;并且,通过在所述有机树脂层的一 部分的区域上设置包括金属粒子的导电树脂,所述导电树脂溶解所述 有机树脂层,所述金属粒子浸渗到所述片状纤维体以形成贯穿布线。

本发明的另一个方式是一种半导体装置的制造方法,包括如下步 骤:形成具有露出在绝缘层的表面上的凸块的集成电路芯片;在片状 纤维体中浸渗有机树脂层;固定所述集成电路芯片和所述有机树脂层; 并且,通过在所述有机树脂层的一部分的区域上设置包括金属粒子的 导电树脂,所述导电树脂溶解所述有机树脂层,所述金属粒子浸渗到 所述片状纤维体,形成与所述集成电路芯片的所述凸块接触的贯穿布 线。

在本发明中,所述片状纤维体具有玻璃纤维。

另外,在本发明中,所述金属粒子包含铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、 金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、钽(Ta)、钼(Mo)、钛(Ti)或锡(Sn)中的任 一种。

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