[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200910150549.8 | 申请日: | 2009-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN101609827A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
| 发明(设计)人: | 波多野薰;千田章裕;永田贵章;坂仓真之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/14;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李 玲 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种布线衬底,包括:
有机树脂层和纤维体,所述纤维体浸渗有所述有机树脂层;以 及
贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树脂层的上下表面的一部 分的布线,所述纤维体的所述一部分浸渗有所述布线,
其中,所述纤维体的所述一部分位于所述布线中,
其中,所述布线包括金属粒子,以及
其中,所述金属粒子通过溶解所述有机树脂层的一部分而穿过 所述纤维体,由此所述布线贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树 脂层的上下表面的一部分而没有接触孔。
2.根据权利要求1所述的布线衬底,其中所述纤维体包括玻璃 纤维。
3.根据权利要求1或2所述的布线衬底,
其中,所述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、 钼、钛和锡中的一种元素。
4.一种半导体装置,包括:
具有第一布线的集成电路芯片;
有机树脂层和纤维体,所述纤维体浸渗有所述有机树脂层;以 及
贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树脂层的上下表面的一部 分的第二布线,所述纤维体的所述一部分浸渗有所述第二布线,
其中,所述第二布线包括金属粒子,
其中,所述金属粒子通过溶解所述有机树脂层的一部分而穿过 所述纤维体,由此所述布线贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树 脂层的上下表面的一部分而没有接触孔,以及
其中,所述第一布线接触于所述第二布线。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述纤维体包括玻 璃纤维。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置,
其中,所述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、 钼、钛和锡中的一种元素。
7.一种布线衬底的制造方法,包括如下步骤:
在纤维体中浸渗有机树脂层;以及
通过在所述有机树脂层的一部分的区域上设置包括金属粒子的导 电树脂,所述导电树脂溶解所述有机树脂层,所述金属粒子浸渗到所 述纤维体而形成布线。
8.根据权利要求7所述的布线衬底的制造方法,其中所述纤维体 包括玻璃纤维。
9.根据权利要求7或8所述的布线衬底的制造方法,
其中所述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、 钼、钛和锡中的一种元素。
10.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:
形成具有第一布线的集成电路芯片;所述第一布线露出在绝缘层 的表面上;
在纤维体中浸渗有机树脂层;
将所述集成电路芯片贴合在所述有机树脂层和所述纤维体上;
通过在所述有机树脂层的一部分的区域上设置包括金属粒子的导 电树脂,所述导电树脂溶解所述有机树脂层,所述金属粒子浸透所述 纤维体而形成接触于所述第一布线的第二布线。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中所述纤 维体包括玻璃纤维。
12.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法,其中所 述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、钼、钛和锡 中的一种元素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910150549.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种复合型钢球内锥轮式无级变速器
- 下一篇:一种污泥燃料及其制备方法





