[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910150549.8 申请日: 2009-06-19
公开(公告)号: CN101609827A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 波多野薰;千田章裕;永田贵章;坂仓真之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/14;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李 玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种布线衬底,包括:

有机树脂层和纤维体,所述纤维体浸渗有所述有机树脂层;以 及

贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树脂层的上下表面的一部 分的布线,所述纤维体的所述一部分浸渗有所述布线,

其中,所述纤维体的所述一部分位于所述布线中,

其中,所述布线包括金属粒子,以及

其中,所述金属粒子通过溶解所述有机树脂层的一部分而穿过 所述纤维体,由此所述布线贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树 脂层的上下表面的一部分而没有接触孔。

2.根据权利要求1所述的布线衬底,其中所述纤维体包括玻璃 纤维。

3.根据权利要求1或2所述的布线衬底,

其中,所述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、 钼、钛和锡中的一种元素。

4.一种半导体装置,包括:

具有第一布线的集成电路芯片;

有机树脂层和纤维体,所述纤维体浸渗有所述有机树脂层;以 及

贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树脂层的上下表面的一部 分的第二布线,所述纤维体的所述一部分浸渗有所述第二布线,

其中,所述第二布线包括金属粒子,

其中,所述金属粒子通过溶解所述有机树脂层的一部分而穿过 所述纤维体,由此所述布线贯穿所述纤维体的一部分和所述有机树 脂层的上下表面的一部分而没有接触孔,以及

其中,所述第一布线接触于所述第二布线。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述纤维体包括玻 璃纤维。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置,

其中,所述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、 钼、钛和锡中的一种元素。

7.一种布线衬底的制造方法,包括如下步骤:

在纤维体中浸渗有机树脂层;以及

通过在所述有机树脂层的一部分的区域上设置包括金属粒子的导 电树脂,所述导电树脂溶解所述有机树脂层,所述金属粒子浸渗到所 述纤维体而形成布线。

8.根据权利要求7所述的布线衬底的制造方法,其中所述纤维体 包括玻璃纤维。

9.根据权利要求7或8所述的布线衬底的制造方法,

其中所述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、 钼、钛和锡中的一种元素。

10.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:

形成具有第一布线的集成电路芯片;所述第一布线露出在绝缘层 的表面上;

在纤维体中浸渗有机树脂层;

将所述集成电路芯片贴合在所述有机树脂层和所述纤维体上;

通过在所述有机树脂层的一部分的区域上设置包括金属粒子的导 电树脂,所述导电树脂溶解所述有机树脂层,所述金属粒子浸透所述 纤维体而形成接触于所述第一布线的第二布线。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中所述纤 维体包括玻璃纤维。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法,其中所 述金属粒子至少包括选自铜、银、镍、金、铂、钯、钽、钼、钛和锡 中的一种元素。

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