[发明专利]电熔丝、半导体装置和断开电熔丝的方法有效
| 申请号： | 200910146628.1 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599479A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 窪田吉孝 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电熔丝、半导体装置和断开电熔丝的方法，该电熔丝包括多晶硅层；硅化物层，其形成在多晶硅层上方；以及第一金属接触和第二金属接触，其布置在所述硅化物层上方同时彼此分隔开，电熔丝被构造为：在断开之后，硅化物层被从第二金属接触正下方的区域以及从第二金属接触和第一金属接触之间的区域排除。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 半导体 装置 断开 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电熔丝，包括：多晶硅层；硅化物层，形成在所述多晶硅层上方；以及第一金属接触和第二金属接触，布置在所述硅化物层上方，同时彼此分隔开，所述电熔丝被构造为，在断开之前，所述第一金属接触和所述第二金属接触连接到所述硅化物层，以及在断开之后，所述硅化物层被从所述第二金属接触正下方的区域以及从所述第二金属接触和所述第一金属接触之间的区域排除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910146628.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双极性装置
- 下一篇：使用氧气和/或水气体混合物去除气载分子污染物的方法
